马建民追求卓越

人在一生中能有几个顿悟的时刻?豁然开朗、茅塞顿开，仿佛冥冥中神灵的仙指点化，为人生与事业的苦旅指明一条阳光大道。这样的时刻并不多得，因为大多数人不愿忍受顿悟之前求索的忧烦苦闷。三年前，作着一个普普通通、优哉游哉的小书商的马建民，忽然发现了自己未来要走的路。     

摩托罗拉8位HC08微控制器系列

摩托罗拉微控制器(MCU)具有编程语言简单、外围设备齐全、存储器模型用户友好、选择广及供应多、性能价格比高等优点,被设计者评为最容易使用的产品之一。在全球顶级的原始设备制造厂商(OEM)的无数嵌入式系统和用户最终产品中都可找到摩托罗拉的MCU,包括键盘、传呼机、电子游戏机、洗衣机、安全系统及汽车等。     

用非线性光学技术调谐激光频率

非线性光学技术能把激光器的固定输出频率位移到不同的频率范围,其方法多种多样。四波混频能提供远红外和真空紫外的调谐;斯塔克效应位移频率;喇曼频率位移。然而,三波参量振荡独具特色,和频及倍频产生更简单有效。我们研究了届一     

清除高剂量离子注入中产生的表面沾污

采用Auger电子分光镜(AES)检测由高剂量离子注入产生的硅上表面沾污层。纵向剖面分析证明当在注入机靶室的真空系统中用普通扩散泵油,Si~ 或BF_2~ 的高剂量注入导致～100A厚的碳质表面层。注入机剩余真空的碳氢化合物的物理吸附以及辐照感应聚合反应是形成这种沾污层的最大原因。在重注入硅中经常观察到这种沾污层可引起非均匀腐蚀特性和非欧姆接触结构。用有机溶剂清洗或过氧化物清洗溶液,在550℃下退火100分钟,并按势垒层剥除工艺估计阳极氧化及HF解吸作用。只发现HF解吸和阳极氧化对完全清除聚合层有效。实质上,用过氟化聚醚油替换靶室真空系统中的普通扩散泵油清除沾污。最近几年,在制造双极晶体管,FET源和漏区以及在其它各种应用中,对用高剂量离子注入工艺的要求日益增长。然而,已知离子束感应吸附的碳氢化合物聚合,导致在离子注入的样品(1.2)上形成碳化表面沾污层。注入机的剩余真空是碳氢分子的主要来源。沾污层的厚度随剂量的增加而增长,所以,重注入Si呈现出可注意到的沾污问题,反冲碳可产生结构上损伤浅P—n结的反相电流,并在注入退火后形成硅碳化物。为了更好的了解这种沾污问题并阐明解决方法,使用Auger电子分光镜(AES)检查在各种注入条件下制备的高剂量注入的硅表面层。估计了各种表面层的剥离技术,也分析了注入机真空系统中的注入温度效应和扩散泵油的种类。最后,估计化学腐蚀和欧姆按触结构对表面沾污的效应。     

Non-Steady Equilibrium during Pro-Eutectoid Ferrite Formation in Fe-0.2C Alloy

Ｔｈｅｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎｏｆｐｒｏ ｅｕｔｅｃｔｏｉｄｆｅｒｒｉｔｅｆｒｏｍａｕｓｔｅｎｉｔｅｉｓｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｙｄｉｆｆｕｓｉｏｎｉｎＦｅ Ｃａｌｌｏｙｓ .Ｗｉｔｈｔｈｅａｓｓｕｍｐｔｉｏｎｔｈａｔｔｈｅｍｉｇｒａｔｉｎｇｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｓａｌｗａｙｓｉｎｌｏｃａｌｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ,ｅａｒｌｙｉｎ 194 9,ＺｅｎｅｒＣ[1] ｅｘｐｌａｉｎｅｄｔｈｅｄｉｆｆｕｓｉｏｎａｌｇｒｏｗｔｈｏｆｐｒｏ ｅｕｔｅｃ ｔｏｉｄｆｅｒｒｉｔｅｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅＦｉｃｋ’ｓｌａｗ .Ｓｉｎｃｅ…     

CHARACTERIZATION OF Si_(1-x-y)Ge_xC_y FILMS GROWN BY ION IMPLANTATION AND SUBSEQUENT SOLID PHASE EPITAXY

Si1-x-yGexCy ternary alloy films were grown on monocrystalline silicon substrates by C ion implantation and subsequent solid phase epitaxy (SPE). Two-step anneal-ing technique was employed in the SPE. The structure and electrical properties of the alloy films were determined using Fourier transform infrared spectroscopy and van der Pauw Hall measurements, respectively. With the optimization of two-step anneal-ing technique for the implanted Si1-x-yGexCy layers, a certain amount of C atoms occupied substitutional sites and no SiC was formed.     

JT—60U稳态运行的约束和稳定性进展

本文介绍了ＪＴ－６０Ｕ托卡马克在建立具有高聚变性能的稳态、完全非感应电流驱动等离子体的物理和技术基础的方面最新成就、最新的结果着重于：（１）高性能反向磁剪切放电「在ＩＰ＝２．８ＭＡ，Ｐａｂｓ＝１７ＭＷ时，理想的等效ＱＤＴ为１．０５，约束增强因子（Ｈ因子）为３．２３，规范化β值为１．８８」，首次观察到电子和离子的热输运势垒；（２）世界上首次注入基于负离子的中性氘束来研究电流驱动、加热和高能粒子行为（