Nb元素对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜结构与性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜（Nb=0-4．12mol％）,采用HPAgilent 429A阻抗分析仪等测试方法研究了微量元素铌对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3（BSNT）薄膜介电性能的影响。当Nb分别为0-4．12m01％时,相对介电常数占,降低而介质损耗tanδ均得到了改善,当测试频率为1kHz,tanδ由0．09降低到0．067;居里温度Tm逐渐移向低温;在测试频率2．0-10MHz范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性。采用XRD、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征。薄膜为四方钙钛矿晶体结构,但Nb的溶入改变了晶胞参数的c／a比,减小了薄膜的晶粒尺寸,提高了薄膜的致密度。     

(Ba,Sr)TiO3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一.通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题.     

螯合剂对钛酸锶钡薄膜结构与性能的影响

采用阻抗分析、差热分析,X射线衍射、透射电镜等方法研究了．螯合剂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能的影响。当乙酰丙酮作为螯合剂时,它与Ti(COC4H9)4螫合形成网络骨架结构,Ba^2 ,Sr^2 均匀地分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,使钙钛矿的形成温度降低了约60℃。薄膜表面颗粒分布均匀,孔洞少,比较致密。晶粒的平均粒径均为80nm,晶格条纹间距约N0．296nm,晶界两侧的晶粒取向是随机的;畴的宽度约为1～2nm。薄膜具有较高的相对介电常数和较小的介质损耗。     

不同 Sr/Ba比对SBT薄膜结构与性能影响的研究

本文采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、SEM、XRD、TEM等测试方法研究了不同Sr/Ba比对Sr(1-x)BaxTiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响。在同一测试频率下,当Sr/Ba比为0.5时,薄膜的相对介电常数εr最大,介质损耗tanδ相对较小,最大εr温度点Tm为305K;在所测试的频率范围内,εr随频率的升高而降低,tanδ则相反,表现出较好的频散特性。薄膜的矿物相为四方钙钛矿结构。Sr/Ba比为0.5时,薄膜表面无裂纹,孔洞少,颗粒集聚较少,其平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为2.96A,晶界两侧的晶粒取向是随机的。     

（Ba，Sr）TiO3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba，Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点，在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景，是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述，就BST的微观结构、性能及应用，深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点，指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题。     

不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响

采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.