波峰型低损耗负群时延微波电路研究

本文提出了一种波峰形状的低损耗微波负群时延微带电路,该电路主要由四条相同的微带传输线,两条相同的耦合微带线以及T形连接器组成.依据等效电路拓扑结构,基于微波电路理论推导出电路的S参数模型以及负群时延公式.利用ADS仿真软件对电路结构进行优化,并进行了实物的加工与测试.测试结果表明:在中心频率1.017 GHz时,电路的最大群时延为-2.46 ns,插入损耗为-2.1 dB以及反射损耗为-13 dB.实测结果与仿真结果以及理论模型结果具有很好的一致性.     

高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响

基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体（Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS）的静电放电（Electrostatic discharge, ESD）防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制。本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对器件ESD防护性能的影响。结果表明,增加漂移区掺杂浓度可以有效提高器件失效电流;加强体接触和增加漂移区长度可以提高器件的维持电压,但失效电流会有所下降,占用版图面积也会更大。     

一种新型超宽带高增益维瓦尔第天线的设计与性能研究

设计了一种新型超宽带高增益维瓦尔第天线，在传统对踵维瓦尔第天线的两端均增加弧形辐射结构，从而提高天线的低频辐射带宽；在天线辐射方向添加一块渐变型介质板，将天线正反两面的表面电流限制在天线辐射方向，既可以矫正E面方向图的增益峰值偏移角度，也可以提升天线辐射强度。实测结果显示：1.6-20GHz频段内的天线VSWR均比小于2，倍频带宽高达12.5，增益为1.5-11.1d B，并且该天线的E面方向图对称性好、交叉极化比小，易于设计、成本低廉，在超带宽、高增益的定向辐射天线方向拥有较高的研究意义和应用价值。     

基于人体起电实验外推超低电压研究

随着电子工业技术的飞速发展,电子产品静电放电(electrostatic discharge,ESD)敏感度电压已经低于人体模型(human body model,HBM)电压50 V,然而现有防静电工作区(electrostatic discharge protected area,EPA)配置要求标准只是针对于ES...     

基于幅值测量的任意宽带信号相位测量方法

本文提出了一种超宽带任意信号相位测量方法,该方法基于频谱分析仪测量两路不同信号振幅,再基于功率合成器合成信号幅度,利用矢量合成原理,在频域中进行数学分析,建立了测量任意信号相位的方法。根据基本原理设计,建立了测量信号相位的测试系统,通过仿真及实验验证了该方法的正确性及可行性。另外,还讨论了功率合成器的反射与隔离等参数对信号相位测量结果的影响。本方法适用于从DC到数十GHz信号相位的测量,可应用于电磁干扰和信号完整性分析,弥补了现有测量信号相位方法的不足。     

外推法天线增益测量的核心算法及实验研究

基于外推法测量原理研究了外推法天线增益测量核心算法,重点在于天线互耦的滤波抑制、功率级数展开式的拟合和任意距离下的天线增益求解.此外,还基于以上核心算法设计了一款外推法天线增益测量界面,为外推法天线增益的精密测量提供便利.最后,开展了 W波段标准天线的增益校准实验,增益测量结果与NPL的测量偏差小于0.04 dB,实现...     

一种工作于1.6 GHz ~20 GHz 的高增益对跖Vivaldi 天线

设计了一款工作于1.6 GHz ~20 GHz 的高增益对跖Vivaldi 天线,该天线在常规对跖Vivaldi 天线的左右两端加载半椭圆贴片结构,改善低频驻波比特性,进而提高了天线的阻抗带宽;在天线主轴方向加载梯形基板,将天线表面电场约束在天线的主轴方向上,不但消除了天线增益峰值的偏移问题,而且提高了天线的增益值。实测结果表明:该天线在1. 6 GHz ~20 GHz 频段内电压驻波比小于2,增益为1. 5 dB ~11. 1 dB。此外,该天线增益峰值偏移现象得到明显抑制,具有辐射方向性好、增益高、交叉极化比小的优点。     

基于谐波探测理论功率放大器线性化仿真研究

Volterra级数是一种用于解决非线性问题数学模型,在功率放大器线性化领域中,其庞大的计算难度限制了实际线性化处理的效果。为了解决Volterra级数计算量过大的问题,使用谐波探测方法替代Volterra级数,使用多个简单多项式对功率放大器复杂的记忆非线性特性进行建模,结合该模型与前馈线性化结构,提出了一个基于谐波检测的数字前馈结构。该数字前馈方法避免了前馈方法中时延因素对于功率放大器线性化效果的影响。仿真中,上述方法提供了平均20dB的抑制效果,验证了谐波探测理论应用于功率放大器线性化领域的可行性。     

二次静电放电仿真与实验研究

二次静电放电（secondary electrostatic discharge，SESD）是一种由一次静电放电引起的发生在仪器内部微小缝隙间的击穿放电现象，可对晶体管等很多元件造成破坏.文章首先搭建由静电放电模拟电路、二次放电模拟电路和电流靶电路组成的电路级仿真模型，初步探索SESD的波形，并与初始模型进行对比分析，验证已知的理论.其次基于实验研究与数据分析的方法，总结二次放电波形特点、峰值特性和时延特性.研究表明:二次放电电流峰值大于一次放电电流峰值，且受放电电压、放电时延等参数影响；二次放电的时延呈正态分布.这一研究结果符合并验证了目前对二次放电微观过程研究所得出的相关理论.     

基于谐振环法板材介电常数高精度测试研究

介电常数是影响高频板材性能的重要参数,板材介电常数的准确性及空间分布均匀性都会对微波电路的性能产生重要影响。本文首先设计了增强型耦合环、屏蔽通孔和共面波导技术的谐振环电路,增强环对外界的抗干扰能力并使S₂₁分布在-30～-20 dB,提高传输效率。其次分析了不同的环平均半径、环宽、耦合间隙对仿真结果的影响。接着对谐振环电路加工、测试,实测结果表明在2、10、24 GHz频点下介电常数误差小于±0.007,证明该方法测试精度高。最后基于该谐振环电路对某国产板材介电常数分布测试分析,结果表明加工和板材空间分布造成的介电常数误差小于±0.024,证明板材性能良好。