微波加热法合成CaS:Ce,Sm及其发光特性

用微波加热法合成CaS:Ce,Sm材料,由光谱可知,其光激励光谱和发射光谱分别位于红外和可见光区域,因而只要选择适当的光探测方法即可记录发射光.与高温固相法比较,微波加热法合成能够减少S的升华,提高反应速率,同时能够有效回避保护气氛并最大限度地去除对环境的污染;在生成CaS的同时完成稀土金属的掺杂,从而比较容易的得到了纯度较高的CaS:Ce,Sm.     

多孔质半导瓷LiMeTiO_4材料的湿敏特性与微组织结构研究

<正> 文中系统地介绍了LiMeTiO_4材料之热、电特性、敏感特性、稳定特性及显微组织特征等方面的研究结果。在相对湿度20％RH～90％RH的范围内,材料的阻湿特性呈指数函数关系。整个湿区内灵敏度适中,两端阻值比为10~2～10~3量级中湿区,感湿系数为8～10％/RH,低端固有阻值为数百千欧到数兆欧。材料的感湿温度系数约为0.5～0.8％RH/℃。这些     

高补偿硅的阻–温特性

采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.     

高补偿硅的光敏感特性

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。     

掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响

采用电阻率为5 ·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料。测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好。对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其B值在620 K左右;对p型硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200 ~4300 K之间。     

Mn-Co-Zn-O体系制备低阻高B型单层片式NTCR

研究了Mn-Co-O体系通过掺入适量ZnO,采用最佳的烧结温度,可制备低阻高B型NTCR(负温度系数热敏电阻),并通过XRD、SEM研究了样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在不同烧结温度下的微观结构和电学特性。结果表明:Mn-Co-Zn-O体系在T=1100~1200℃很宽的温度范围可只存在尖晶石结构,同时具有高的激活能。样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在烧结温度T=1100℃时存在最小电阻率,而B仍保持在4046K左右。因此,由其制成的单层片式NTCR可替代某些具有内电极的叠层器件。     

铁系陶瓷湿敏材料掺杂改性与稳定性研究

碱金属与稀土金属掺杂对改善以 Fe_2O_3为基的陶瓷湿敏材料敏感特性与微观结构有显著作用.适量 K~+、La~(3+)离子掺入能明显提高材料本征电导影响低湿区的感湿灵敏度.借助 SEM、XPS、FI-IR 及 AAS 等研究了材料的表面特性.发现,亚稳态水溶性次相与亲水的 K~+ 离子在表面的富集、迁移以及迁移造成的损耗是影响铁系湿敏陶瓷材料稳定性的主要因素.     

小规格厚壁钼管的制取工艺

一、前言厚壁钼管是用来制作电子管阳极底和引出杆的关键材料。过去,电子工业部十二所一直用钼棒加工成此零件。由于钼棒质量和其它原因,机械加工过程中常常出现裂纹或大块金属剥     

镍、金掺杂n型硅材料的NTC和电学特性

Silicon materials compensated by deep level impurities such as nickel and gold have negative temperature coefficient （NTC） characteristics. In this work, n-type silicon wafers are smeared by nickel chloride ethanol solution and gold chloric acid ethanol solution, and subsequently put in the opening environment to heat. The electrical resistance and B-value of the thermistors made by this silicon material are measured and analyzed. When the silicon surface concentration of gold atoms is 2 × 10-6 mol/cm2, the uniformity of the single-crystal silicon material is optimal. When the diffusion temperature is between 900 and 1000 ℃, a material with high B-value and low electrical resistivity is obtained. The B-T and R-T change laws calculated by the theory of semiconductor deep level energy are basically consistent with the experimental results.     

Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性

为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析.掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致.