从AutoCAD中批量提取坐标在SSOffice中一次性设计激发点

本文主要介绍了利用自编程序从物探施工设计AutoCAD图中批量提取激发点坐标来生成坐标数据表,再在SSOffice中一次性进行激发点理论设计入库的方法,使复杂施工区的设计简单化.     

高介电高压电活性PLZT陶瓷材料的研究

利用改进的固相烧结工艺设计和制备出一种具有高介电常数、高压电系数的PLZT陶瓷材料。研究了Sb2O3、BaTiO3的不同掺杂量对PLZT陶瓷的介电性能和压电性能的影响。实验发现，当Sb2O3和BaTiO3含量的质量百分比均为0．5％时，PLZT陶瓷的介电性能、压电性能较佳，相应的物理参数为：频率为1kHz时室温相对介电常数εr=4500。压电常数d33=640pC／N，压电耦合系数kp=0．7，密度ρv=7．914g／cm^3．居里温度Tc=213℃，介电损耗tgδ=0．0175。该材料在叠层电容器、压电陶瓷固体继电器、压电驱动器及压电电声器件等方面具有良好的应用前景。     

脉冲激光沉积制备Al-LiNbO_3-GaN结构研究

采用脉冲激光沉积设备(PLD)在GaN(0001)晶向上成功沉积了铁电多晶膜LiNbO_3,然后采用热蒸发法在薄膜表面镀铝电极。并对制备的LiNbO_3薄膜进行XRD表征以及对金属-铁电体-半导体(MFS)结构进行了C-V表征,XRD结果表明,沉积温度对薄膜的晶化有很大的影响;C-V测量结果表明,MFS的GaN激活层在5V下就能得到反转,这是一般半导体基集成电路的要求电压。GaN基的MFS结构在GaN基场效应晶体管的实际应用中是非常有前景的。