细直径管状、杆状白宝石的导模法生长及其应用

用导模法生长了细直径的管状、杆状白宝石单晶。研究了生长工艺对晶体完整性的影响,使导模法生长的细直径白宝石晶体质量达到与焰熔法晶体相当的水平。管状晶体已用于特种光源的研制;杆状晶体生长工艺已推广至工厂,用于仪表宝石轴承的批量生产。由于导模法生长能简化晶体的后加工工艺,加之实现了多头导模生长,使产品成本降低,取得了较好的经济效益。     

低频率振动下四硼酸锂的Bridgman生长

研究了振动对四硼酸锂晶体生长的影响,从几个基本流体力学方程出发,对加振动后的方程进行了一定的分析,得到振动后的熔体运动模式与容器直径、流体高度、时间有关、然后通过模拟实验选择了合适的振动,熔体的高度和容器的直径,将其用于实际的Ｌi2B4O7晶体生长,并对在其它生长条件相同的情况下加振动的ＢＲ方法生长的ＬＢＯ晶体与不加振动的ＢＲ方法所生长的ＬＢＯ晶体进行了比较,得到了合适的振动下,晶体质量比在其它生长条件相同情况下不加振动生长的晶体质量更好。     

高温相偏硼酸钡单晶的下降法生长

采用坩埚下降法生长出了新型双折射晶体高温相偏硼酸钡α-BaB₂O₄单晶,尺寸为φ25mm×100mm,在He-Ne激光照射下无散射颗粒和生长条纹,在可见光区用复式宝石折射仪粗略测得该晶体的双折射率△n≈0.13,在200～900nm光区的透过率>80％.简要介绍了晶体生长的一些基本参数.     

新型压电材料—弛豫铁电体单晶的研究

A cost-effective crystal growth method was studied to fabricate the relaxor ferroelectric single crystal of lead magnesium niobate -lead titanate (PMN-PT). The crystal of PMN-PT, 7mm in diameter was prepared, and its dielectric and piezoelectric properties measured are as follows:T_c ～170 ℃ E_c～340V/mm, ε～3500 (25℃ and 1kHz), and d₃₃ ～1040pC/N.     

导模法生长的片状白宝石单晶中生长方向与晶界产生之间的关系

用导模法生长了白宝石片状单晶。采用偏光显微镜法、X射线背射劳埃法、X射线形貌法研究了片状晶体中的缺陷。发现晶体中晶界的产生与生长取向有明显的关系。在生长具有(1?02)板面的片晶时,若生长方向为[?101],晶体中存在有严重的晶界;而沿[0221]或[1120]方向生长的晶片,晶界则显著减少。 研究表明,白宝石中(0001)面沿〈11?0〉方向的滑移对晶界的形成起重要的作用。为了生长出满足SOS器件衬底材料所需要的完整性较好的片状白宝石,除应控制适当的生长速率和选用缺陷少的晶种外,必须注意选择有利的生长取向,以防止晶界的产生。