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1
1.
射频衬底偏压溅射TLMM薄膜电容器
胡南山
姚国荣
俞志中
乔世忠
《电子元件与材料》
1985,(5)
在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93%的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3%(1kHz),而且温度系数也得到了改善。
相似文献
2.
高性能臭氧电源
梁建立
张希斌
乔世忠
刘力俊
《电源技术应用》
2005,8(7):33-35
介绍了一种新型的沿面放电陶瓷片臭氧电源的工作原理。该型电源经过工业试运行已投入批量生产,目前已开发出100W~300W的系列产品,使用结果证明其效率高,工作稳定,抗干扰能力强。
相似文献
3.
毫微伏指零器
乔世忠
《电子技术》
1982,(6)
在电子测量技术及微波小信号检测中,往往需要用到毫微伏指零器。它的基本原理是应用相关同步检测技术,在干扰及噪声电平大于信号电平的情况下,把被测的微弱信号检测出来。该仪器可应用于半导体载流子寿命检测,微波小衰减以及大量程衰减的检测等。上海市测试技术研究所试制的全晶体小型毫微伏指零器的主要技术指标如下:
相似文献
4.
三厘米波段自校准法衰减测量装置
蒋和平
乔世忠
《计量学报》
1981,(3)
本文叙述采用电平倍增的三厘米波段自校准法衰减测量装置。该装置在0—42分贝的衰减测量量程内,达到的不确定度优于±5×10~(-4)。
相似文献
5.
二氧化铅掺杂改性的TLMM薄膜电容器
胡南山
姚国荣
愈志中
乔世忠
《电子学报》
1987,(3)
用PbO_2和MnO_2首次在Ta_2O_5介质上复合掺杂半导体薄膜制成TLMM薄膜电容器。其特点是损耗低,温度系数偏移小。分析证实:当Pb:Mn:O为30:20:50时(原子数比),电容器的损耗值最小为0.1~0.3%(1KHz),温度系数为201.5±3.5ppm/℃(-40~+70℃)。
相似文献
6.
介绍一种毫秒级短时间间隔源
乔世忠
《电子技术》
1965,(8)
概述毫秒级短时间间隔源主要用来检定电子毫秒仪.电子毫秒仪已经广泛的应用于各种电开关接触的瞬时测量,以及用于用光电转换的方法测量照象机快门速度等方面.由于目前电子毫秒仪的精度约为±2%,因此必须用高于这精度(约需0.5%左右)的脉冲时间间隔信号输入至电子毫秒仪,然后根据电子毫秒仪示值的偏差进行计算.
相似文献
7.
微波中功率稳幅系统
乔世忠
《计量学报》
1984,(4)
上海测试技术研究所研制出一种微波中功率稳幅系统,其功率稳定度优于±0.1%,控制系数优于10~(-3)。此稳幅系统是为400~4000MHz同轴中功率传递系统研制的,传递系统要求输出功率大于10W,量值传递误差为±1%。由于传递系统中采用了行波管微波放大器,不加稳幅时系统的输出功率波动在几分钟内可达10%,故必须进行幅度稳定。稳幅系统由三部分组成:(1)电平控制器;(2)微波功率取样电路;(3)功率电子调节器件。
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