数字技术为建筑设计添神奇

新世纪以来,计算机在建筑设计领域的应用不仅仅是画图,而是随着计算数字化技术在建筑领域内的快速运用,设计和建造的关系正在数字化技术的共同平台上得以重新整合.建筑师运用数字化技术进行设计,改变的不只是建筑的面貌,也包括了建造、设计方法等各种内容.     

深挖方渠道边坡稳定分析

以南水北调中线京石段工程渠道边坡为典型案例,通过对边坡破坏机理的分析,确定了其破坏原因和破坏类型,并有针对性地提出了边坡处理方案,为其他段工程边坡的治理提供了实践依据。     

日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触

研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后再在N2氛了围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过Ⅰ-Ⅴ测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4n·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)

研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti（20nm）/Al（100nm）之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm^2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计

为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6～40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中.     

一种增益可调CMOS恒带宽单片放大器

基于电流跟随器和负反馈原理，并结合电流镜像与虚地技术，得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的１２０ｋＨｚ￣８ＭＨｚ恒定带宽，增益０￣６０ｄＢ可调，最高稳定工作频率５ＭＨｚ，功耗５．２ｍＷ的高性能ＣＭＯＳ放大器，其ＳＰＩＣＥ模拟表明，该放大器电气性能优越，模拟结果与理论分析比较吻合；可采用３￣５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺技术单片化集成实现，并可望用于宽带视频放大等模拟信号处理领域。     

多方基地协同建设下建筑设计数字化实践教学改革与创新研究

当今世界,面临数字化在建筑行业发展过程中所起到的作用,从而引发了很多建筑教育现状问题的思考从2010年开始,笔者致力于探索数字化背景下建筑教育,研究校企多方基地合作路径和人才培养模式,针对建筑设计人才培养与行业需求脱节等问题,通过多方基地的协同建设,创建了建筑学专业设计人才培养模式。通过多方校企基地实践,对建筑学专业学生进行职业化、专门化的教学培养体系。     

一种用于ADC减少插值误差的预放大器

在分析折叠内插ADC预放大电路非线性误差的基础上,设计了一种适用于折叠内插ADC的新型预放大器,有利于减少插值非线性。采用0.35μmCMOS工艺,在3.3V电源电压下进行仿真。结果表明,在0.85V到2.45V输入范围内,预放大器过零点对应的输出电压保持在2.6V,0.1%的容差范围内,建立时间为4.2ns,有利于提高插值精度。     

增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型

基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。     

制造企业生产中瓶颈问题研究综述

制造企业在生产中瓶颈问题一直受到生产计划与调度管理人员关注。阐述目前对生产瓶颈的相关概念及延伸概念研究、瓶颈的识别与预测问题研究以及瓶颈的控制与改善研究,并指出对生产瓶颈问题未来的研究趋势。