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1.
使用Tensorflow对金刚线切割过程深度学习,通过对500组样本的训练和预测,得到金刚线切割的神经网络模型。高进给速度(1.4 mm/min)和高线速(1400 mm/min)可发挥高颗粒密度(100 cm-1)的优势,在提高切割效率的同时获得较低的总厚度变化(total thickness variation,TTV)。在切割过程中,高颗粒密度的钢线耐磨损能力强,有更大的工艺窗口。将神经网络技术应用到工艺优化方面可直观找到调整参数与实验结果的量化关系,为优化工艺提供一种简便高效的方法。 相似文献
2.
本文是采取弹簧秤重法取单晶直径信号,这种取直径信号方法是我国到目前还没有,而且具有其他方法所没有的独特优点。文中较详细讨论了重量信号转变为实际直径信号,以及提出给定直径等几种方法。进而又提出利用这种取直径信号方法自动拉制单晶新方案,并对应用现代控制理论研究单晶炉自动化问题创造了较好条件。 相似文献
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5.
为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz-Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。 相似文献
6.
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9.
为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750~1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有相同氧碳含量的直拉硅片进行同样处理.结果发现:在多晶和单晶片中氧碳含量下降很小,意味着没有氧沉淀产生,晶界对碳行为影响不大.多晶硅片在N2和O2环境下,850、950和1150℃下退火,少子寿命都有很大提高,并且在O2中退火比N2中退火少子寿命上升得更多,可能由于在高温退火时大量杂质扩散到晶界处,减少了复合中心.另外,间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高. 相似文献
10.
本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的施主平台现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生~20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。 相似文献