Zn1-xCoxO纳米复合薄膜的磁特性

用磁控溅射交替沉积和退火的方法制备了不同Co含量的ZnO纳米颗粒薄膜Zn1-xCoxO,并研究了其磁特性.发现室温下的比饱和磁矩随Co含量x(体积比)的减小而单调下降,矫顽力在x=0.5附近达到极大值.在温度从5 K升到50 K的过程中,磁矩迅速下降,50 K以上,磁矩基本不随温度变化.其原因是低温下,小的颗粒表现出铁磁性,随着温度升高至50 K,小颗粒变成超顺磁性,只有那些较大的颗粒才表现出磁性.     

磁控溅射制备Co／Al2O3／FeNi磁隧道结

利用磁控溅射设备和光刻技术，采用金属等离子体氧化法，设计制作了10μm×15μm的Co／Al2O3／FeNi磁隧道结，并在77K下对其输运特性进行了研究。测得了11％的隧道磁电阻。随着外加电压增加，隧道结的磁电阻单调减小。测量了样品的I-V特性曲线，发现随着外加电压的增加，曲线逐渐偏离线性，电阻变小，这与理论相符合。电阻随温度变化曲线表明电阻随温度升高而减小，而且在210K处有一个拐点。表现出典型的隧穿过程的特征。     

TiN基磁性薄膜的研究

用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品。400℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性。其饱和磁化强度为2.93×108A/m,饱和磁场强度约160kA/m,矫顽力32kA/m。超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰。利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824×10-5Ω·m。     

磁控溅射制备Co/Cu/FeNi三端结器件

用磁控溅射及光刻工艺制成了5μm×5μm的Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达17μV。测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性。