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1.
叙述了Bi,Al:YIG薄膜的液相外延生长,研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Bi含量的关系。在此基础上,连续外延生长了作单模磁光波导的双层Bi,Al:YIC薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步,恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用MOCVD技术,在GGG(钆镓石榴石)基片上同时外延生长Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石(YIG)薄膜,把光隔离器和磁光光源直接集成在一起,是一种非常有前景的光电子集成组件。  相似文献   
2.
YIG及Bi—YIG薄膜材料的光吸收谱的微观机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
胡华安  何华辉 《功能材料》1996,27(6):509-512
采用DV-Xα方法计算了YIG薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致光吸收的两种电荷转移跃迁。在12 ̄20cm^-1×10^3波长范围,计算出了与实验一致的吸收谱。Bi^3+离子的掺入,增大了跃迁的振子强度,其增大量与铋离子的浓度成正比。在此基础上得出的Bi-YIG的理论谱与实验谱符合得较好。  相似文献   
3.
CoFeZrRE磁性薄膜微波电磁特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究在微波段具有高磁导率和大磁损耗的CoFeZrRE薄膜,采用射频磁控溅射工艺制备该类薄膜,探讨了工艺参数和薄膜厚度对CoFeZrRE薄膜结构和电磁性能的影响.重点研究了掺杂稀土元素的含量和种类对薄膜磁各向异性、饱和磁化强度等基本磁参量以及微波磁导率和磁损耗的影响.结果表明,重稀土元素(如Dy,Tb)提高微波磁损耗的效果更显著;CoFeZrRE类薄膜具有较高的微波磁导率和磁损耗(2 GHz处,μ'和μ"均高于200),有望在微波吸收和抗电磁干扰领域获得广泛应用.  相似文献   
4.
非晶磁性材料的磁阻抗(MI)效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了非晶磁性线的MI效应、基本特点,以及非晶磁性线、非晶磁性薄膜的制备。这种MI效应在传感器技术中有广泛的应用。  相似文献   
5.
高性能纳米磁性薄膜材料的湿法工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了纳米磁性薄膜材料特性,类型,综述了近年来兴起的湿法工艺及其用湿法工艺制备的纳米磁性薄膜材料的特性。  相似文献   
6.
微带法测试薄膜0.5~5G磁导率   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了可以在0.5~5GHz频带扫频测量磁性薄膜复磁导率μr的微带线法,推导出了由倒置短路微带线单端口网络的反射系数R(S11)表示μr的理论公式.对微带线夹具进行了设计,并结合虚拟仪器技术,以LabVIEW为软件平台建立了一套测量薄膜微波复磁导率的自动测量系统.给出了FeCo基磁性纳米颗粒膜的磁导率测试曲线,表明微带法具有准确性较高、既适宜于面内各向异性薄膜又适合于各向同性薄膜的测量和容易操作等优点.  相似文献   
7.
针对目前铝电解行业对于槽似在电阻的采集不够准确并且延时较高的问题,本文提出一种基于卡尔曼滤波的区间式槽似在电阻采集算法.该算法以卡尔曼滤波为基础,用预测值与采样值的均方差表征它们的高斯白噪声功率,使其能够在电阻平稳的状态下有着较强的跟踪性能;再结合一阶惯性滤波的强滤波特性和卡尔曼滤波的强跟踪优势,设置适用的滤波区间,确...  相似文献   
8.
采用磁控溅射工艺制备Co40Fe40B20-S iO2纳米颗粒膜;研究影响颗粒膜磁各向异性的主要因素;基于实验结果及其分析讨论,提出各向异性耦合模型,解释了CoFe基纳米颗粒膜中强单轴磁各向异性的起源问题,从而为更好地调控纳米颗粒膜的微波电磁性能提供了理论参考。  相似文献   
9.
一种多晶铁纤维的表面改性方法   总被引:12,自引:0,他引:12  
介绍了一种对多晶铁纤维表面进行改性的方法.从磁学物理的角度出发,并结合大量实验结果,确定了具体的实施方案.结果表明处理后的纤维表面电阻率得到显著提高,磁性能也得到一定改进.  相似文献   
10.
本文从理论上对MSSW-MBVW级联延迟线的色散特性进行了分析.通过计算机计算,得到了在宽的频带范围内,级联延迟线具有非色散特性.设计了一种将MSSW、MBVW级联在一个腔体中的换能器结构.在S波段,实验上得到了在300MHZ频宽范围内这种级联延迟线具有良好的非色散延迟线特性.  相似文献   
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