标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。     

MZOS结构的电学性质及退火效应

本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．     

静电感应光电晶闸管负阻转折的光敏特性

Influences of light irradiation on the negative resistance turn-around characteristics of static induction photosensitive thyristor （SIPTH） have been experimentally and theoretically studied. As the gate current of SIPTH is increased by the light irradiation, the potential barrier in the channel is reduced due to the increase in voltage drop across the gate series resistance. Therefore, SIPTH can be quickly switched from the blocking state to the conducting state by relatively low anode voltage. The optimal matching relation for controlling anode conducting voltage of SIPTH by light irradiation has also been represented.     

CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。     

影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素(二)

上文中我们就对集成电路管芯成品率影响较大的光刻质量,版面设计等六个工艺因素进行了分析。现在我们再从工艺程序等四个方面对管芯成品率的影响作一讨论。 一、工艺程序的设置对成品率的重要影响 使用怎样的工艺程序(包括规范和条件)来完成电路管芯的制作,对成品率的影响是巨大的。例如,对于TTL电路,我们可以对比下边四种程序的安排,就可看出问题的     

影响集成电路芯片成品率的诸工艺因素(一)

提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们实践的基础上,本文想就影响电路芯片成品率的各种工艺因素做一分析讨论,以期引起对这个问题更广泛的研究与重视。     

用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜.用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式.Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长.溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜.随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大.当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小.     

双极型D触发器成品率试验报告

D触发器用途广泛,需求量很大,因此如何提高其成品率就成为一个重要的课题。从现有工艺实际出发,我们对提高双极型D触发器成品率采取了若干工艺措施,取得了一定成效。关于前道芯片成品率方面的工作我们已作过系统地讨论,这里作些补充叙述,而以较大篇幅进一步讨论光刻质量方面的若干工艺细节,同时还着重介绍提高封装成品率方面的工艺措施。     

Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究

在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。     

Cu／SiO2/Si（100）体系中Cu和Si的扩散和界面反应

室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜.采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiO3/Si(100)体系的扩散和界面反应.RBS分析得出对于Cu/SiO2/Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成.这比已有文献报道的温度低.