排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 18 毫秒
1.
2.
3.
6~18 GHz超宽带微带均衡器设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
6~18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6~18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频率可调、品质因数可调、带宽可调以及均衡量可调的谐振单元,同时增加适当的调节块对谐振频率进行微调,设计出满足指标要求的小尺寸样件,得到了所需的均衡曲线。实验表明,可以在这个频段上高效、准确、灵活地设计出所需均衡器。 相似文献
4.
5.
提出了一种新型的具有双阻带特性的组合式非周期性缺陷接地结构(CNPDGS),利用时域有限差分法(FDTD)对其滤波特性进行了电磁仿真,研究了其结构尺寸变化对阻带特性的影响,研制了带宽可调节的双阻带滤波器,测量结果与仿真结果一致性很好,此结构的双阻带中心频率位置及它们之间的间隔随着结构参数的变化而变化,两阻带之间的间隔可从3.5GHz到12GHz.这种新型结构可有效地抑制信号中的低端和高端干扰,具有较好的带通滤波特性. 相似文献
6.
基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2~7 GHz频带内,小信号增益G>18 dB,输入回损<-10 dB,脉冲饱和输出功率Po>5 W,功率增益GP>15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点. 相似文献
7.
8.
9.
10.
太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得到了很好的抑制。设计中先对无源结构进行三维电磁场仿真,然后与有源部分联合仿真优化,在370~410 GHz频率范围内,变频损耗小于25 dB。 相似文献