求解电缆自感系数的一个佯谬

用求自感系数的两个常用公式求解实心电缆自感系数时，如果不注意对公式中Φm及I的正确理解，将会得到不一致的“佯谬”结果。本文通过将实心电缆等效为许多细线圈的方法，用2种公式求解得到了一致的结果。     

一种新的三维漫射体真彩色彩虹全息术

提出了一种用单波长激光制作真彩色彩虹全息图的新方法。该方法的要点在于记录彩虹全息图Ｈ２时，使用了合成狭缝技术。因而大大提高了光能利用率，并使再现像的彩色还原性易于控制。给出了理论分析与实验结果     

感生各向异性对溅射Ni80Co20合金膜的磁及磁电阻性能的影响

采用磁控溅射方法,在诱导磁场下制备了一系列不同厚度的Ni80Co20合金薄膜。并研究了外磁场诱导的面内感生各向异性随膜厚度及退火工艺的依赖关系,以及各向异性对样品的磁电阻回线和矫顽力的影响。实验发现,外磁场诱导的面内感生各向异性随薄膜厚度的增加而逐渐减弱,沿面内易轴方向测得的磁电阻回线在矫顽力处具有很尖锐的磁电阻变化峰,因而具有很高的磁电阻灵敏度,沿易轴方向的矫顽力比在难轴方向测得的矫顽力大,两者都随膜厚的增加而增大,其差别随膜厚的增加而减小,样品经400℃真空退火后,面内感生各向 异性基本消失,矫顽力也显著降低,实验还发现,当薄膜厚度小于Ni80Co20合金的电子平均自由程（－15ns）时,各向异性磁电阻、△ρ和△ρ/ρ都陡然下降,当D＞20ns时,△ρ已基本趋于饱和,△ρ/ρ而仍继续增大,以上实验结果对Ni80Co20合金膜在磁记录和磁传感技术方面的应用具有实际意义。     

界面散射对Ni_(80)Co_(20)/M(M=Co,Cr,Ag)多层膜各向异性磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了Ｎｉ８０Ｃｏ２０／Ｍ（Ｍ＝Ｃｏ,Ｃｒ,Ａｇ）多层膜样品系列,Ｃｏ,Ｃｒ,Ａｇ杂质层的标称厚度为０．１ｎｍ,研究了界面散射对多层膜的磁及输运性质的影响．零场电阻率ρ的测量结果表明,对含Ｃｒ样品,ρ随杂质层间距Ｌ的依赖关系能较好的用Ｆｕｃｈｓ－Ｓｏｎｄｈｅｉｍｅｒ（Ｆ－Ｓ）理论描述．而对含Ｃｏ和Ａｇ样品,ρ随Ｌ的依赖关系在Ｌ小于１５ｎｍ时开始偏离Ｆ－Ｓ理论．磁电阻测量表明,含Ｃｒ和Ａｇ样品,各向异性磁电阻Δρ在Ｌ＜１５ｎｍ时随Ｌ的减小陡然下降．对含磁性Ｃｏ元素的样品,其Δρ值在Ｌ＞１５ｎｍ时高于Ｎｉ８０Ｃｏ２０单层薄膜的Δρ值;在Ｌ＜１５ｎｍ时Δρ值随Ｌ呈现振荡变化的趋势．磁性测量表明,三个系列样品的矫顽力Ｈｃ在Ｌ＜１５ｎｍ时都随Ｌ近似直线上升,在Ｌ＞１５ｎｍ后趋于饱和;经４００℃真空退火后Ｈｃ都显著下降．     

Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响

研究了Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层膜中,发现在Si的标称厚度tSi =1.9nm附近存在一较强的反铁磁耦合（AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰,在Si层中掺入6％的Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的宽和峰位变化与AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降,在液氮温度T＝77K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大,实验结果表明,用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属／非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。