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1.
半模基片集成波导(HMSIW)是近年来出现的一种高性能平面导波结构,具有传输损耗小、功率容量大、易于集成等优点,已开始广泛应用于微波无源器件的设计中。文章基于HMSIW技术与PCB工艺技术设计制作了一种新颖的三孔定向耦合器,通过在耦合孔上金属面蚀刻"工"字形槽增加孔的耦合量。设计的HMSIW三孔定向耦合器不仅保持了集成基片波导(SIW)定向耦合器的所有优点,而且在面积上减小了近50﹪,工作带宽拓展到1GHz。实测数据与仿真结果基本吻合,验证了设计方法的正确性与可行性。  相似文献   
2.
基片集成波导以其低损耗和易于集成等特点越来越广泛地应用于微波毫米波电路中。在实际应用中,基片集成波导的直角弯曲结构的运用是不可避免的。针对传统的弯曲结构进行改进,仿真了直切弯曲结构和圆弧弯曲结构的传输特性。并在分析基片集成波导中电感销钉的特性之后,设计了一种含销钉的直角弯曲结构。仿真和实测结果表明,所设计弯曲结构的回波损耗小于-15dB,带宽达到4.8GHz,通带内电压传输系数高于-1.5dB,具有良好的传输性能,可以广泛地应用于微波电路中。  相似文献   
3.
提出了一种基于分形结构的半模基片集成波导(HMSIW)滤波器。该设计将树状分形结构蚀刻在HMSIW的上金属表面,通过在其高频端引入宽阻带来产生带通效应。这种基于树状分形的HMSIW带通滤波器结构,随着迭代次数的增加,其相对带宽基本保持不变(S11<-15dB),但其带通边缘频响斜度变陡,且带外抑制特性不断增强。仿真结果与实验结果基本吻合,较好地验证了设计的可行性和有效性。  相似文献   
4.
为拓展带通滤波器的通带带宽,设计了一种基于EBG结构的基片集成波导(SIW)超宽带带通滤波器.该滤波器利用箭头形电磁带隙结构的阻波特性,将不同大小箭头形结构单元蚀刻在SIW上金属面,以获得超宽带通带.所设计的滤波器中心频率在985 GHz,相对带宽为3959%,通带内的最大插入损耗约为154 dB,相比于类似结构的带通滤波器,其带内回波损耗较大,且整体电路面积较小.测量结果与仿真结果基本吻合,有效地验证了该设计方法的有效性.  相似文献   
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