Al3+/Bi4Ti3O12薄膜的制备及其光催化性能表征

采用溶胶一凝胶法制备了掺 Al3+ 的Bi4 Ti3 O12 薄膜(Bl-xAlxTi3O12).采用分光光度法研究了薄膜对甲基橙溶液的降解,以及Al3+对薄膜的光催化效果影响.光催化结果表明,Al3+的掺杂量为 2atm% 时,薄膜的光催化效果最好,比未掺杂前提高 57.9%,且吸收边红移量为 36nm.     

非金属离子掺杂TiO2的可见光光催化性能研究

具有廉价、环保的可见光响应光催化剂的研究开发是走向工业化的关键。非金属掺杂TiO2是近几年发展起来的一种新型光催化剂，它可以使复合禁带宽度小于纯TiO2的禁带宽度，使TiO2的吸收边红移至可见光区。对可见光响应的非金属掺杂TiO2光催化剂的研究进行了综述。     

TiO2降解有机染料废水的研究进展

印染工业的发展加剧了环境污染,传统的处理染料废水的方法存在许多难以克服的缺点.从保护环境和节省能源的角度出发,人们对TiO2应用在染料污水降解领域的研究给予了较大的关注.本文从TiO2的催化机理,降解方式,负载方式以及可降解的染料种类等方面进行了归纳,指出了目前TiO2在降解有机染料方面的一些不足,并对其发展方向进行了预测.     

氮掺杂二氧化钛纳米粉体的制备及光催化性能的研究

以钛酸正四丁酯为钛源、盐酸胍为氮源,用溶胶-凝胶法制备出了氮掺杂的TiO2纳米粉体,采用XRD、TEM、BET和UV-Vis对所制备的粉体进行了物相、形貌和结构表征,并分别在紫外光和可见光下进行了样品对甲基橙的光催化降解实验。结果表明,用该方法制备的N掺杂二氧化钛纳米粉体具有较单一的晶粒尺寸分布,分散性好,团聚少;掺杂样品在紫外光下对甲基橙的降解率比不掺杂样品有大幅度提高,并且在可见光下也具有较高的活性。     

硫离子掺杂纳米TiO2粉体的制备及表征

以TiCl4为原料,以硫脲为掺杂物质,用溶剂热法制备了硫元素掺杂的纳米TiO2粉体。采用XRD,FTIR,TEM,UV-VIS等方法分别对样品的物相结构,形貌以及光吸收性能进行了表征。通过样品对硝基苯的降解对其光催化活性进行了测试,结果表明硫元素掺杂后的TiO2在可见光下具有较好的光催化氧化性能。     

可见光响应型TiO2光催化剂的机理研究进展

介绍了可见光响应型TiO2光催化剂的研究现状,对近年来国内外改性纳米TiO2光敏剂敏化、稀土离子掺杂、过渡金属离子掺杂、阴离子掺杂、半导体复合和上转换发光材料复合等改性方法进行了阐述,并对这些方法的原理进行了解释和说明,预测了今后的研究方向.     

可见光下上转换发光材料掺杂纳米TiO2的光催化活性研究

印染工业的发展加剧了环境污染,传统的处理染料废水的方法存在许多难以克服的缺点.从保护环境和节省能源的角度出发,人们对TiO2应用在染料污水降解领域的研究给予了较大的关注.本文制备出上转换发光材料掺杂的纳米TiO2光催化剂.用XRD和TEM对这种催化剂进行了表征,通过在可见光下降解亚甲基兰溶液对样品的光催化活性进行了评价,研究了掺杂浓度,样品投放量以及光照时间对催化剂的光催化活性的影响.结果表明掺杂样品在可见光下能有效地分解有机物,而未掺杂样品则产生了大量有毒中间产物,因此上转换发光材料掺杂的TiO2光催化剂在可见光下具有较好的光催化活性.     

稀土离子掺杂TiO2纳米晶光催化性能研究

摘要：以柠檬酸作为一种还原剂和燃料、硝酸根作为氧化剂,用柠檬酸溶胶一凝胶燃烧法制备了稀土离子（Ce3^＋,Dy^3＋,Eu^3＋）掺杂的Ti02,研究了改性Ti02的光催化活性及稀土离子的最佳掺杂浓度。     

GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展

相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一,是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器,HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O,使其表现出n型半导体特性,但载流子浓度高和电导率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质,综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展;对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性...