测定薄膜厚度的光学干涉法

本文报导了从光学干涉图形来无损测定反射衬底上的薄膜厚度;介绍了TR等新处理方法,在几百埃到十微米的厚度范围内,显示了简捷可靠的优点。讨论了外延材料光学干涉图形的位置、形状与其杂质截面分布之间的关系,还提出了光学测定多重薄膜厚度的可能性。     

射频衬底偏压溅射TLMM薄膜电容器

在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93％的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3％(1kHz),而且温度系数也得到了改善。     

非晶态 Pd-Si 和 Pd-Ni-Si 合金的电子结构

Pd-Si 和 Pd-Si 基的非晶态合金极易用液体急冷淬火法制备,常被当作非晶态合金的一个典型,研究工作相当活跃。本文报道我们用光电子能谱(ESCA)、Auger 电子能谱和量子化学计算研究 Pd-Si 和 Pd-Ni-Si 非晶态合金的电子结构的研究结果。     

THE ELECTRONIC STRUCTURE OF AMORPHOUS ALLOYS Ni-P AND Pd-Ni-P

用光电子能谱、Auger电子能谱实验和量子化学计算研究了Ni-P和Pd-Ni-P非晶态合金的电子结构。结果表明:磷的s,p电子和Ni,Pd的s,d电子成键,Fermi面处的态密度下降,能带结构明显变化。因此,用刚性能带-电荷迁移模型对Ni-P和Pd-Ni-P等非晶态合金的磁性及核磁性质所作的解释是不合乎实际情况的。     

非晶态合金Ni-P和Pd-Ni-P的电子结构

用光电子能谱、Auger电子能谱实验和量子化学计算研究了Ni-P和Pd-Ni-P非晶态合金的电子结构。结果表明:磷的s,p电子和Ni,Pd的s,d电子成键,Fermi面处的态密度下降,能带结构明显变化。因此,用刚性能带-电荷迁移模型对Ni-P和Pd-Ni-P等非晶态合金的磁性及核磁性质所作的解释是不合乎实际情况的。     

SEGREGATION OF S AND P ALONG GRAIN BOUNDARY IN HIGH SPEED STEELS AND CLEANING ACTION OF RE ELEMENTS

本文用Auger能谱仪较详细地研究了S,P等杂质元素在高速钢铸态晶界和奥氏体晶界上的偏聚情况与稀土元素的净化作用。钢中的S,P含量不同,在晶界上偏聚的量也不同。加入稀土元素后,可以使偏聚在晶界上的S,P减少,并观察到了稀土能使晶界上的硫消失.文中对S,P在晶界上偏聚和稀土元素净化作用的原因进行了讨论。     

非晶态Pd—Y—Si合金的电子结构

用光电子能谱及量子化学计算研究了Pd-Y-Si非晶态合金的电子结构。结果表明:在该体系中,Y向Si迁移电子并形成极性共价键,Y-Si极性共价键可能阻碍结晶时原子重排。     

Cr20Mn10Ni4Si3N钢的ESCA和AES研究

用x光电子能谱(ESCA)和俄歇电子能谱(AES)结合氩离子轰击刻蚀技术来获得抗唆合不锈钢Cr20Mn10Ni4Si3N的组成元素在表层的随深度分布情况,并描述了Si、Mn、Ni、Cr、Fe、O、C等组成元素的表面化学状态;与普通使用的不锈钢1Cr18Ni9Ti作了比较。元素Mn在表层相当厚的深度范围内呈氧化物形态,在富氧层中富集,很可能由此对材料的抗唆性作出了贡献。观察到表面Cr的价电子密度下降及Cr LMM Auger峰的双峰结构,能量间隔约5eV;表层Cr原子的外壳层电子态也许经历了一个轨道杂化再分布过程,使得其抗氧化能力有所降低。添加Mo及进一步添加Si使表面富氧层变薄,对提高钢的耐蚀作用是有益的。