制造纳米电子器件的技术途径

目的 为发展纳米电子年及纳米电子学技术寻找有效途径。方法 对目前制造纳米电子器件的主要途径,例如基于三束的光刻加工技术、分子组装与纳米微粒排列技术、扫描力探针加工技术等进行了概略的介绍。讨论了各种方法所存在的优势与限制。结果 对基于分子组装与纳米光刻的纳料制造技术给予很大的重视。结论 认为综合若干种技术之长可能是我们目前实现特定纳料器件制造的有效途径。     

CdS 纳米粒子的四波混频研究

目的　研究表面化学修饰对纳料粒子光学非线性的影响 .方法　采用简并四波混频 (DFWM)方法测量了表面用 2 ,2 ' -联吡啶 (bpy)进行化学修饰的 Cd S纳米粒子 (记为Cd S/ bpy)有机深胶的三阶非线性光学响应 ,并考虑一个双光子吸收的修正因子 ,用最小二乘法对实验结果进行了拟合 .结果　求得每个 Cd S/ bpy粒子的三阶超极化率的实部γIR=-0 .42× 1 0 -2 7esu,虚部 γ1 I=2 .0 2× 1 0 -2 7esu.结论　较大的虚部表明双光子吸收导致的共振增强作用对 DFWM信号有重要贡献 .另外 ,还用表面效应解释了表面修饰 Cd S纳米粒子相对于裸的 Cd S纳料粒子 (水溶胶 )三阶非线性增强的原因