npnpGa_(1-x)Al_xAs负阻发光二极管多功能器件(1)

采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga_(1-x)Al_xAs负阻发光二极管。其典型参数为:阈值电压V_(th)5—50V,阈值电流I_(th)<1mA,保持电压Vk～1.8V,保持电流I_k<3mA,反向击穿电压V_B40—100V,反向漏电流I_L<10μA,响应速度τ1～5μs,当使用电流10mA,使用电压～1.8V时,总光通量为2—3mlum。光谱峰值一般在6700A左右,半宽度约为200A。文中,还根据一般晶体管原理和半导体发光原理,综合考虑器件应具有的电学和光学特性,分析了器件各部份的作用,据此设计了器件的能带结构和主要参数,确定了工艺制备条件。最后对实验结果进行了测定与分析。     

8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性．在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响．     

CdS纳米粒子的制备方法

CdS纳米粒子是一种十分重要的光电功能材料 ,具有十分重要的应用价值 ,本文对Cds纳米粒子的各种制备方法进行了总结 ,并对各种方法进行了评述     

MOCVD—InP的低温光致发光光谱

包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测量与光学测量的一致性。     

化合物半导体超晶格结构

在半导体材料中,人为的周期势场可以改变半导体的物理特性。这一超晶格(Super-lattice)的基本概念是由 Kelclysh 在一九六二年建立的。Esaki 和 Tsu 提出了把厚度相当于德布罗意波长(λ=h(2m~*E)~(1/2)(?)10nm)的两种类型的半导体薄膜依次叠置可以得到实际超晶格的构想。自从 Arthur 和 Cho 等人创立分子束外延(MBE)技术以后,使原子     

Homo-and Hetero-epitaxial GaSb Layers by MOCVD

Metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) growth of homo-and hetero-epitaxial GaSb has beeninvestigated,by using trimethylgallium(TMGa)and trimetbylantimony(TMSb)as source materials on n-typeGaSb and semi-insulating GaAs substrates.The influence of Ⅲ/Ⅴ ratio on the growth of GaSb was studiedin detail and it was found that the Ⅲ/Ⅴ ratio range proper for good quality epi-layers is narrow.The carriermobility and concentration of undoped GaSb epi-layers are about 600 cm~2/Ⅴ·s and 2～4×10~(16)cm~(-3)atroom temperature,respectively.The low temperature(77K)mobility is about 5 times of the roomtemperature's one.The low temperature(11K)photoluminescence(PL)spectrum and the temperature depen-dence of PL spectrum were investigated.The red shift of bound exciton with temperature was observed.     

化学合成法制备ZnS基纳米荧光粉研究

描述了一种生产ZnS:M[M=Mn,Cu,Cu(Al)]纳米荧光粉的化学合成方法.运用本方法通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比,可在1.8～3.0nm范围内控制纳米粒子的尺寸.选择面积的电子衍射和X射线衍射证明ZnS:M纳米荧光粉具有闪锌矿结构.透射电镜图像表明ZnS:M纳米荧光粉具有较好的尺寸分布.ZnS:Mn的PL谱表明纳米尺寸的ZnS:Mn与体材料相比具有较高的发光效率。