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GaAs太阳电池帽层腐蚀研究--GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
由p+-GaAs帽层和p-AlxGa1-xAs(x=0·8—0.9)窗口层构成的异质薄膜体系是GaAs太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀GaAs而不腐蚀AlGaAs的选择性腐蚀工艺是GaAs太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的AlGaAs表面呈现彩色的问题,从改进腐蚀液配方角度,围绕通常采用的氨水-双氧水(NH4OH-H2O2)腐蚀液体系,对该问题作了深入细致的专门研究,并与柠檬酸-双氧水(C6H8O7-H2O2)和柠檬酸-柠檬酸钾-双氧水(C6H8O7-K3C6H5O7-H2O2)腐蚀液体系作对比,最终得到了较满意的氨水-双氧水-磷酸(NH4OH-H2O2-H3PO4)新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Al组分GaAs/AlGaAs异质结构的选择性腐蚀,而且也不会对露出的AlGaAs外观产生明显影响 相似文献
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C作为III-V族半导体中常用的p型掺杂剂,由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低,逐渐引起人们的关注,并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的p型掺杂剂,如Zn和Be,根据近期研究成果,对采用MOVPE技术生长的掺CGaAs和AlGaAs性能研究中的若干方面给予了系统介绍和讨论,在此基础上对其应用作了总结,并对今后工作提出了几点建议。 相似文献
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从固态组分控制方面,对AlGaAs的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究.首先,在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下,经理论推导,给出了AlGaAsAP-MOVPE生长过程中控制参数和Al在固、气相间的分配系数kAl之间的关系式.之后,依据该关系式分析实验数据,并对kAl的动力学行为规律进行了研究.结果表明,kAl值大小与AlAs和GaAs的生长效率(单位ⅢA族原子输入量下材料的生长速率)之比K的大小有关:kAl随K的增加而增大;当K>1时,kAl>1,当K<1时,kAl<1, 相似文献
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1 前言 在众多的金属表面转化处理工艺中,磷化处理以其工艺简单、易操作、成本低、种类多而广泛应用于涂装前处理、防锈、减摩润滑、冷加工、电绝缘等领域。 磷化液的基本组份是磷酸和各种磷酸盐,这是形成磷化膜的基本物质来源;此外还加入了各种添加剂。为提高和拓展磷化膜的性能,降低处理费用、改进工况条件,多年来,人们除了从操作方式、处理工序、工艺条件等方面积极探索外,更多地围绕磷化添加剂进行应用研究。 最初,人们将注意力主要集中在无机添加剂上,它们不仅价格低廉,而且效果明显,较好地满足了当时人们对磷化处理的一些初步要求,如加快成膜速度。但无机物的种类毕竟有限,且作用较为单一,在操作和 相似文献
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从固态组分控制方面,对AlGaAs的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究.首先,在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下,经理论推导,给出了AlGaAsAP-MOVPE生长过程中控制参数和A l在固、气相间的分配系数kAl之间的关系式.之后,依据该关系式分析实验数据,并对kAl的动力学行为规律进行了研究.结果表明,kAl值大小与AlAs和GaAs的生长效率(单位Ⅲ A族原子输入量下材料的生长速率)之比K的大小有关:kAl随K的增加而增大;当K>1时,kAl>1,当K<1时,kAl<1,实际情况以前者居多;只有当K=1时才kAl=1.此外,生成GaAs和AlAs的表观反应活化能Ea1和Ea2的不同会导致K,进而kAl随生长温度发生变化:当Ea1,>Ea2时,kAl随生长温度的升高而减小,当Ea1<Ea2时,kAl随生长温度的升高而增大,论文得到的结果属后种;只有当Ea1=Ea2时,kAl才不随生长温度发生变化.再者,kAl还会随Al在气相Ⅲ A族原子中的原子百分含量xVAl的增加而减小. 相似文献
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