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1.
对用低温PCVD方法制备的氧化铁超微粉从初始生成态到800℃退火后不同阶段的晶化和相变过程进行了较系统的研究。结果表明,初始生成物为β-Fe2O3,退火后逐渐转变为γ-Fe2O3,到800℃形成单一的α-Fe2O3,这睦相变和晶化过程是一种缓慢的渐变过程.  相似文献   
2.
李支文  冯蕴道 《功能材料》1993,24(2):123-128
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。  相似文献   
3.
氧化铁超微粉相变过程研究   总被引:20,自引:0,他引:20  
对用低温PCVD方法制备的氧化铁超微粉从初始生成态到800℃退火后不同阶段的晶化和相变过程进行了较系统的研究。结果表明,初始生成物为β-Fe2O3,退火后逐渐转变为γ-Fe2O3,继而转变为α-F32O3,到800℃形成单一的α-Fe2O3,这些相变和晶化过程是一种缓慢的渐变过程。  相似文献   
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