退火时间对溶液法制备 Tips-Pentacene 电流传输特性的影响

通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10h后,低电压下斜率为2的区域消失。根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率。在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小。     

溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜及性能研究

使用溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜,得到了低漏电流密度(E=1 MV/cm时,为1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm时,为5.42×10-9A/cm2)、膜厚为10 nm的超薄PVP栅介质膜,其单位面积栅电容达到了566 nF/cm2。此外,AFM测试表明溶剂蒸汽辅助退火使薄膜表面粗糙度由0.36 nm降到了0.21 nm,空间电荷限制电流法(SCLC)的分析结果表明薄膜体内陷阱密度减少了26%。