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1.
根据90国际温标定义,对0~29.7646℃和-38.8344~29.7646℃两个子温区偏差方程使用范围的外推进行研究,给出了-38.8344~156.5985℃温区的新偏差方程,采用15支和23支标准铂电阻温度计的标定数据对偏差方程的外推和新方程进行验证。结果表明:在0~29.7646℃与-38.8344~29.7646℃温区内的偏差方程分别外推到100℃与-80℃时,外推结果与温标偏差方程计算结果的最大差值为1.1 mK与2.6 mK,新的偏差方程在1.5 mK内与温标定义偏差方程等效,两个子温区偏差方程使用范围外推及新偏差方程在一定程度具备可行性。  相似文献   
2.
以Ga-In-Sn三元合金为研究对象,研制了可用于现场及在线标定的微型Ga-In-Sn共晶点容器,开展了3种不同配比对相变温度和温坪复现影响的研究。结果表明:3种配比的共晶点温坪可持续1.2~2 h,实验的复现性优于4.5 mK,合成扩展不确定度为9.3 mK(k=2),3种配比的共晶点相变温度平均值为10.748 ℃;在相同热工况下Ga-In-Sn合金发生共晶反应的相变温度不受配比的影响;改变合金熔体的降温速率可改变微型共晶点过冷度。  相似文献   
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