BaPbO3导电厚膜的制备与性能研究

以氢氧化钡、硝酸铅为原料,已二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂制备铅酸钡前驱液,采用改进的Sol-Gel技术,成功的在PZT基片上制备出0-3型铅酸钡厚膜.SEM电镜照片显示,铅酸钡厚膜均匀一致,无裂痕,晶粒大小为1-2μm.厚膜的方阻值随着浆料中国相质量含量的增加而减小,并且随着厚膜厚度的增加,粉体固相含量的影响逐渐减小,不同固相含量的厚膜方阻逐渐趋于一致.以厚膜为上下电极的PZT具有较好的介电性能.     

受主掺杂 BaPbO3中的非化学计量比

采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压（10^-12～10^5 Pa）的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷.