高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器，器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺，减小了暗电流，提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA，反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps，下降时间为30.45ps，半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。     

光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展

对自20世纪90年代以来在InGaAs PIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。探讨了超高速光电探测器的发展趋势。