单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

兵器工业事故微机管理系统

工伤事故的发生是一种意外的事件,它属于偶然的随机现象。从表面上看,大量的随机事件是独立发生的,其实这些随机事件具有统计性规律。对这些随机发生的事件,采用先进的计算机技术和科学的统计方法是可以发现它们的规律性的。     

纳米电子学

在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性.     

Si（337）表面的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)，研究了Si(337)高指数面的形貌和原子结构，发现Si(337)表面平台的生长与退火速度有关，相对较慢的退火速度有利于生长尺寸更大、结构更完整的平台。高分辨SIM结果显示Si(337)表面平台原子结构为(5512)的周期性结构，表明Si(337)表面退火过程中稳定性较差，易重构成临近的更稳定的高指数面。     

银氧化膜的分形研究

在银氧铯光电阴极的制备过程中，初始两步是蒸积银膜和辉光放电氧化。报道了氧化银膜的电子显微镜观察结果的实例，它显示出纹理结构和分形特性。利用计算机对照片进行了分形维数D的计算，得出D＝1．80±0.01。     

单壁碳纳米管和W针尖热处理时残气质谱

分别对W针尖上未组装和组装单壁纳米管理进行热处理,然后对所得残气质谱图进行记录和分析,发现在热处理过程中,脱附出一定量的原子C和原子O,然后结合成为CO和CO2被释放出来。     

C_(60)-有机聚合物薄膜的结构

本文讨论了用高真空系统制备的C_(60)－聚已烯薄膜，用透射电子显微镜（TEM）分析了所制备的样品，发现它是单晶薄膜，其晶格结构为面心立方，晶格常数为1．454nm。     

用FEM/FIM研究单壁碳纳米管束

利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法     

俄歇出现电势能谱仪的实验研究

本文介绍一种三电极简易结构的俄歇出现电势能谱仪，并介绍电参量对性能的影响。最后应用它来 作出一些材料的俄歇出现电势能谱。     

碳纳米管的薄膜场发射

薄膜场发射特性是碳纳米管(CNT)研究的重要课题之一，它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本就CNT的场发射做一综合评述，主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等。