氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究

提出一种氢等离子辅助固相晶化(hydrogen plasma assisted solid phase crystallization,H-SPC)多晶硅的新颖技术。这一晶化技术能够明显缩短晶化时间,同时有效钝化多晶硅薄膜的缺陷态。首先对氢等离子辅助SPC技术与传统SPC技术进行比较分析,进而研究了晶化过程中各种工艺条件对多晶硅晶化质量的影响并进行了物理机制的初步分析。     

15CrMoG矩形坯保护渣优化实践

针对15CrMoG矩形坯出现的凹陷与纵向裂纹,设计了保护渣熔化温度、碱度、粘度等技术参数。将保护渣碱度由0.85调整到1.15,熔点由1 132℃调整到1 200℃,粘度由0.67 Pa·s调整到1.4 Pa·s,提高保护渣的析晶率,增大固态渣膜厚度,提高热阻,均匀稳定了传热;同时将保护渣熔速由70 s优化到32 s,控制振动参数,提高非正弦振动偏斜率,增大保护渣消耗量,改善润滑。通过保护渣理化指标和振动参数的优化,消除了铸坯表面凹陷与纵向裂纹。不良铸坯的精整处理比例大幅降低,减少了铸坯修磨工作量,提高了金属收得率。     

熔融制样-X射线荧光光谱法测定高碳铬铁中铬硅磷钛

熔融制样-X射线荧光光谱法测定高碳铬铁的关键点在于玻璃片的制备,需保证样品熔解完全和避免浸蚀铂黄坩埚。实验无需额外制备熔剂坩埚,采用适当比例的四硼酸锂和氧化硼铺底,样品与氢氧化锂、氧化硼、硝酸锶氧化剂混匀,再覆盖以四硼酸锂,通过设置合适的熔融程序,可得到满足分析要求的均质玻璃片。选取4个高碳铬铁标准样品、7个根据标准方法GB/T 4699定值的高碳铬铁样品、2个由高纯铁和高碳铬铁按照一定质量比混合配制的合成高碳铬铁样品共13个样品绘制校准曲线,建立了X射线荧光光谱法(XRF)测定高碳铬铁中铬、硅、磷、钛的方法。方法线性相关系数均大于0.996。将实验方法应用于高碳铬铁标准样品和实际样品分析,结果表明:对于标准样品,实验方法测定值和标准值基本一致;对于实际样品,实验方法测得结果的相对标准偏差(RSD,n=5)为0.15%～3.4%,测定值和标准方法GB/T 4699基本一致。     

多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究

研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明,多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。Hα具有较低的能量,主要钝化悬挂键类缺陷态;H*具有较高的能量,对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷态更有效;Hβ和Hγ具有的能量最高,可以用来钝化晶粒内部的缺陷态。这些分析和结果有利于优化H等离子体钝化多晶硅的条件,进一步提高多晶硅性能。