一种新颖的波长型实物标尺

本文介绍制作一族新颖波长型实物标尺的总体逻辑构思,并给出了一族以波长单位的新长度标尺以及如何用“买时综合修正”方法解决波长单位长度值到20C时米制单位长度值的转换问题及其产生的综合效果。     

Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究

讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.     

Rapid Thermal Annealing of Pr~(3 ) and Eu~(3 ) Implanted Silicon

ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇｏｆＰｒ~（３＋）ａｎｄＥｕ~（３＋）ＩｍｐｌａｎｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎ￥ＬｉｕＳｈｉｘｉａｎｇ；ＳｈｉＷａｎｑｕａｎ；ＬｉｕＸｕｅｊｕｎ（ＧｒａｄｕａｔｅＳｃｈｏｏｌ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｂｅｉｊｉｎ...     

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构

采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响,同时发现薄膜倾向于沿(112 )晶面生长,薄膜贫Cu会加剧(2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成{ 112 }小晶面.研究表明,薄膜具有良好的电学特性和结构特性.     

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究

本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。     

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se2薄膜结构

采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜,对四元化合物Cu(In,Ga)Se2的Raman谱进行了讨论,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响,同时发现薄膜倾向于沿(112)晶面生长,薄膜贫Cu会加剧(220)/(204)表面自发分解成{112}小晶面.研究表明,薄膜具有良好的电学特性和结构特性.     

“实时综合修正”数据处理方法在激光干涉测长中的应用

激光干涉测长中的长度计算公式一般多数采用L=(λ_(He-Ne)/8)·N进行计算的。式中L为被测长度,λ_(He-Ne)为He—Ne激光波长,N为激光干涉条纹变化次数。从这个公式可以看出,要取得准确的长度测量,首先必须要取得其准确的波长数,可以说λ_(He-Ne)取得越准确,L也就能达到越准确。人们传统处理问题的方法,一般是通过各种传感器对外界环境参数测试后用n(T、P、F、K)(即典型的Edlin)公式进行计算取得的。但必须指出,T、P、F、K的取得是有误差的,这个误差表现在环境参数的变化和传感器的实时准确测量与否,其二,n(T、P、F、K)公式也是近似计算的经验公式。可以想象想取得λ_(He-Ne)(空气波长)越准确,所花的代价也就越大。这对一般用户使用带来很大的不便。长期实践也证明了这一点。     

Au、Al/a-Si:H热退火行为研究

本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低,并且该互溶作用在350℃退火后加剧;Al诱导的a-Si∶H晶化后,在表面上有一连续的低阻Si(Al)析出层,它可Al/a-Si∶H的肖特基结转为欧姆结.     

退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响

用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.     

Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究

讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与Cu-Ga3Se5A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动