深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究

本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风，采用了硅微机械技术，且实现了麦克风电容两电极之间的自对准，大大提高了麦克风的生产效率，降低了成本．纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用，而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加，这些都显著地提高了麦克风的灵敏度，是该项新结构的关键．本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系，及结构的优化进行了研究．通过对制作出的不同结构参数ｑ值的麦克风的测试，得到了与初步理论分析基本相符的实验结果．实验证明，纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

野菊花天然染料的提取及染色性能

研究了野菊花天然染料的提取工艺及其对棉织物的染色工艺,并对染色后织物进行了相关性能测试。结果表明,较优提取工艺为以水为提取剂,提取温度为100℃,提取时间为90min,pH值为9,物料比为1∶40。较优染色工艺如下:以明矾为媒染剂,浴比为1∶20,染液pH值为4,染色温度为50℃,染色时间为50min,后媒时间为30min,后媒温度为50℃。经优化工艺染色的织物的干、湿摩擦牢度分别为4～5级和4级;日晒、皂洗牢度分别为3级和3～4级;织物的抗紫外性能良好(UPF50+)。     

金属结构红外探测器振动噪声的研究

为使红外探测器在振动干扰的环境下仍具有足够高的探测率,必须降低其因振动而产生的噪声幅度.控制探测器振动噪声的主要手段之一是控制其机械振动幅度,尤其是共振振幅.采用锤击法,利用冲击激励的宽频特性,研究了金属结构红外探测器的共振特性及影响振动噪声的力学因素.通过改变探测器结构的动力学特性,探寻了减振降噪的几种途径.实验结果表明,探测器悬臂冷指的结构参数对探测器的振动特性起主要作用.在冷指自由端与壳体间填胶做支撑、或冷指固定端与壳体间用胶粘隔振的减振降噪效果最好,可使振动噪声降至原值的1/20.     

新型低驱动电压电子纸显示单元的研究

研制了一种基于介质上电润湿(electrowetting-on-dielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实,器件在15V低电压驱动下成功实现了"开启"、"关闭"功能,其"开启"、"关闭"响应时间小于1/30s.     

高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究

采用离子注入的方法在高电阻率的硅衬底上选择性地形成低阻区,制备了多孔硅牺牲层,研究用"先做微结构后形成多孔硅"的多孔硅牺牲层工艺制作微悬空结构.     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 ,具有较高的计算效率和足够的精度要求     

77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．