非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备

以ZnO:Al(2%Al2O3,质量分数)为靶材,用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZnO:Al薄膜,分析了各沉积参数对薄膜光电性能的影响。结果表明:溅射功率对ZnO:Al的透过率影响最大,其次是反应腔室压力,而衬底温度对透过率几乎没有影响。ZnO:Al的电阻率主要取决于衬底温度和溅射功率。综合考虑透过率和电阻率,确定了背反ZnO:Al的最佳沉积参数(衬底温度为200℃,溅射功率为200W,反应腔室压力为0.6Pa),得到了透过率大于85%,电阻率最小为7.6×10-4Ωcm的ZnO:Al薄膜。制备了ZnO:Al/Ag/ss(stainless steel)背反电极,并将其用于非晶硅太阳能电池。与无背反的不锈钢衬底上的电池相比,非晶硅太阳能电池短路电流密度增加了16%。     

双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRT...     

高密度磁记录技术研究综述

大数据时代对大容量磁盘的需求日益增长,而在对现有的磁盘不进行较大改动的前提下,叠瓦式磁记录技术SMR是提高磁盘存储容量的最佳选择.近年来,兴起了一种新的磁记录技术——交错式磁记录技术IMR,它可以获得比SMR更高的存储密度和随机写性能.首先介绍了SMR磁盘的内部叠瓦式结构以及由此带来的数据写放大问题,并对缓解数据写放大问题的数据管理方式、性能特性评测以及基于SMR的上层应用系统方面的研究进展进行了概述;然后对新兴的IMR磁盘内部结构及其数据写放大问题进行了介绍,并对其将来的研究方向做了一定的分析和展望;最后对SMR磁盘和IMR磁盘在存储密度、数据写性能等方面进行了比较分析.当前有很多基于SMR磁盘的上层应用系统,这表明SMR磁盘可以高效地替代传统磁盘来构建大型的存储系统,而IMR磁盘的优势也将使其未来的发展前景可期.     

硅基薄膜光电性能测试技术——电导温度曲线和光电导衰退的测试

介绍了硅基薄膜电导温度曲线和光电导衰退测试设备和方法,包括测试设备、采集数据的方法及测试的操作规程等.     

正泰硅基叠层薄膜太阳电池研发与大规模生产新进展

介绍了正泰太阳能在硅基叠层薄膜电池上的主要技术进步,包括TCO优化、新型氧化物掺杂层的引入、弱光效应、温度系数改善等。这些技术进步使得正泰太阳能量产硅基叠层薄膜电池的稳定全面积效率达到10%。此外还讨论了组件的现场能源输出表现,从而展示硅基薄膜技术仍然是光伏产业中一个非常有竞争力的技术路线。     

多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减研究

背钝化技术可以显著提升太阳电池的效率,但会使电池存在较大的光致衰减。该文系统研究了硅片种类和氢钝化技术对量产多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减特性的影响,结果显示,掺Ga和B-Ga共掺硅片可以显著抑制多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减,通过电注入诱导氢钝化技术可进一步改善电池的光稳定性。因此,在量产中实现B-Ga共掺硅片或掺B硅片与电注入处理技术相结合的方式都可以较好地解决多晶硅背钝化太阳电池光致衰减过大的问题。     

硼掺杂硅薄膜及其在叠层电池隧道结中的应用

Boron-doped hydrogenated silicon films with different gaseous doping ratios（B2H6/SiH4） were deposited in a plasma-enhanced chemical vapor deposition（PECVD） system.The microstructure of the films was investigated by atomic force microscopy（AFM） and Raman scattering spectroscopy.The electrical properties of the films were characterized by their room temperature electrical conductivity（σ） and the activation energy（Ea）.The results show that with an increasing gaseous doping ratio,the silicon films transfer from a microcrystalline to an amorphous phase,and corresponding changes in the electrical properties were observed.The thin boron-doped silicon layers were fabricated as recombination layers in tunnel junctions.The measurements of the I-V characteristics and the transparency spectra of the junctions indicate that the best gaseous doping ratio of the recombination layer is 0.04,and the film deposited under that condition is amorphous silicon with a small amount of crystallites embedded in it.The junction with such a recombination layer has a small resistance,a nearly ohmic contact,and a negligible optical absorption.     

PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能

利用硬质玻璃为载板,采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备,在聚酰亚胺(PI)塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅(a-Si)太阳能电池;研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明,PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1 200 nm波长范围的透光率为76.63%,方块电阻19.7?/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%,封装后电池组件具有一定的透光性,透光率约达到30.2%。     

酞菁锌/氢化非晶硅复合薄膜光电性质的研究

Composites consisting of hydrogenated amorphous silicon （a-Si： H, inorganic） and zinc phthalocyanine （ZnPc, organic） were prepared by vacuum evaporation of ZnPc and sequential deposition amorphous silicon via plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）. The optical and electrical properties of the composite film have been investigated. The results demonstrate that ZnPc can endure the temperature and bombardment of the PECVD plasma and photoconductivity of the composite film was improved by 89.9% compared to pure a-Si： H film. Electron mobility-lifetime products/lr of the composite film were increased by nearly one order of magnitude from 6.96 × 10^-7 to 5.08 × 10^-6 cm2/V. Combined with photoconductivity spectra of the composites and pure a-Si： H, we tentatively elucidate the improvement in photoconductivity of the composite film.     

多主栅光伏组件的性能分析

分析了不同规格焊丝对多主栅光伏组件性能的影响,并对比了多主栅光伏组件与常规5主栅光伏组件的电学性能差异,最后对多主栅光伏组件的弱光性能进行了实验分析。结果发现,当采用直径为0.40 mm的圆形焊丝时,多主栅光伏组件的性能更佳;同时,多主栅技术可显著提升组件的短路电流和填充因子;相比常规5主栅光伏组件,多主栅光伏组件的功率约提升了2.5%;背钝化多主栅单晶硅光伏组件具有相对较好的弱光响应。