基于互联网时代下信息安全威胁及漏洞分析

移动互联网技术的发展给人们的生活带来了极大的便利.现在可以利用互联网技术进行办公、学习、消费等等,但是科学技术本身就是一把双刃剑,互联网带给人们便利的同时也有着较大风险,即信息安全问题.本文将会对互联网技术安全威胁及漏洞进行分析,首先介绍互联网时代信息安全研究现状,之后介绍互联网时代信息安全重要性并分析互联网技术带来信息安全威胁的原因,最后对保障互联网时代下信息安全的措施进行探讨.     

a-Si厚度对TFT开关特性的影响

通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。     

Cl_2和SF_6混合气体对a-Si刻蚀反应的研究

对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6作为刻蚀反应气体实现。为了保证刻蚀速率并节省工艺循环时间,同时又控制用气成本,需要获取最佳的气体使用量。本文通过调整Cl2和SF6的用量,研究了a-Si的刻蚀速率和均匀性的变化关系。研究表明,当Cl2用量大于5000 m L/min时,刻蚀速率无明显变化;当SF6少量增加时也能够加速a-Si刻蚀。同时,通过光谱分析系统对a-Si和光刻胶的刻蚀反应进行了分析,与刻蚀率测试结果相同。     

O2/SF6气氛下光刻胶灰化反应的机理研究

光刻胶的大面积灰化是TFT工艺的核心工艺之一,本文研究了在增强型电容耦合射频放电模式下,SF6比例对光刻胶灰化率的影响,并建立表面反应模型对此进行解释.研究表明,纯O2气体中加入少量SF6,能够有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶的生成量,增大光刻胶灰化率.当SF6比例过高时,氟原子与氧原子形成化学吸附位竞争将导致光刻胶灰化率降低,而粒子间碰撞的加剧与溅射产率的下降使这一趋势愈加明显.