场发射显示技术的发展状况

介绍了微尖阵列、碳纳米管、表面传导、弹道式电子发射、薄膜内场致发射以及类金剐石薄膜等几种场发射显示技术的发射特性，分析了场发射的工作机理。讨论了国内外场发射技术发展状况与它们在技术、材料、工艺等方面的瓶颈。展望了几种场发射显示器的市场产业化前景以及加快我国在场发射技术方面的研究步伐的建议。     

有机、无机复合膜在电致发光器件中的应用

主要介绍了一种将有机材料[1]和无机介质层进行复合,以提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法,通过这种复合方法提高了器件中介质层的耐压可靠性,减少甚至消除了器件在工作时出现的漏电、打火、击穿等现象。     

电子束共蒸发Al2O3-La2O3和ZrO2-Ta2O5复合薄膜的介电性能研究

Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0．013V和0．56V,击穿场强分别为128MV／m和175MV／m,在50MV／m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3．1×10-5／cm2和4．1×10-5A／cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3．9×10-5／cm2和3．7×10-5A／cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。     

10英寸场助热电子发射显示屏的制作

讨论了金属-绝缘体-半导体-金属结构的场助热电子发射显示(FAHED)器件的制作原理,简述了Mo/Ta2O5/ZnS/Au结构的10英寸FAHED的制作.通过电子束蒸发具有低功函数的上电极材料,适当控制其厚度,并且控制半导体层合适的厚度和成膜条件可以提高器件的电子发射率至0.3%.     

关于户外电缆组件防水应用研究

文章介绍了常用户外电缆组件防水处理的研究方法,并通过试验验证了方法有效,可供读者在类似工作中参考。     

页岩气体积压裂水平井非稳态产能评价模型

页岩基质渗透率极低,天然裂缝发育,是一种典型的双重介质。气体在页岩纳米级孔隙中同时存在吸附解吸、扩散和渗流等多种流动机理,同时,天然裂缝渗透率会随地层压力的降低而降低。以平板双重介质模型为基础,综合气体在页岩纳米级基质孔隙中的吸附解吸、扩散和渗流机理,考虑天然裂缝的应力敏感效应,建立了一个页岩气体积压裂水平井非稳态产能评价模型,采用摄动法和Laplace变换,求取了模型的解析解,绘制了典型生产曲线。结果表明,吸附解吸和扩散作用分别影响早期产能和中后期产能,而天然裂缝的应力敏感性影响所有流动阶段的产能。     

溅射功率和气氛对Sialon薄膜，介电性能的影响

采用射频磁控溅射法分别在Ar/N2和Ar/O2气氛中制备了厚度为80～300nm的SiMon薄膜,研究了沉积功率对SiMon薄膜的介电性能的影响.发现在Ar/N2气氛中沉积的Sialon薄膜具有较高的介电常数,漏电流密度和介电损耗也稍大.在Ar/N2气氛下沉积的SiMon薄膜的介电常数在4.8～8.5之间,反映介电损耗的参数△Vy在0.010～0.045V之间,在50MV/m直流电场下的正、反向漏电流密度在10-10～10-8数量级,击穿场强在201～476 MV/m;在Ar/O2气氛下沉积的SiMon薄膜的介电常数在3.6-5.3之间,反映介电损耗的参数△Vy小于0.01V,在50MV/m直流电场下的正、反向漏电流密度在10-10～10-9数量级,击穿场强在260～305 MV/m之间.该绝缘薄膜应用于以Zn2SixGe1-xO4:Mn为发光层的无机EL显示器件和以IGZO为有源层的TFT器件中获得了较好的结果.     

无机电致发光平板显示器的老化工艺

主要阐述了一种无机电致发光显示器的老化技术方法。该老化方法将显示器件放置在氧气或者含氧气氛中,如果是以硫化物为发光层则还需要消除气氛中的水汽,预先老化足够长的时间,等器件中绝大部分的打火都结束,再将器件封装在保护气氛中后续老化。由于在含氧气氛中,电极在打火时自身被氧化,形成绝缘层,抑制了扩展型打火的产生,使断线产生的可能性降到最低。本文所提供的老化方法大幅度提高显示器的可靠性,提高器件生产的成品率和生产效率,降低了制备薄膜所需的环境和设备要求,降低了成本,适用于大批量生产。