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硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6。但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多晶硒化锡的制备与研究。采用真空熔炼及淬火-退火等工艺并结合放电等离子体烧结技术制备了Ag掺杂的Ag_xSn_(1-x)Se(0.005≤x≤0.02)多晶热电材料。结果表明,Ag的掺入明显改善多晶SnSe的载流子浓度,同时保留较高的塞贝克系数,使得材料的电学性能显著提高。当Ag的掺杂量x=0.01时,Ag_(0.01)Sn_(0.99)Se具有相对较高的热电优值,于773K时平行于压力及垂直压力方向分别可达0.66和0.69。 相似文献
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