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建立了以推进剂质量为目标函数,并同时满足火箭增程迫击弹射程及密集度指标的数学模型,采用约束变尺度优化法,对火箭增程迫弹外弹道参数进行了优化设计,通过优化计算得到了满足设计指标的最小推进剂质量,发动机点火时间,发动机工作时间及发动机质量系数参数值,将对火箭增程迫弹的初步设计具有参考价值。 相似文献
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报道了一种含Sc(DBM)3bath的有机发光二极管(OLED)的界面激基复合物发光,器件结构为ITO/TPD/Sc(DBM)3bath/LiF/Al,其中TPD和Sc(DBM)3bath分别为空穴和电子传输材料。这种电致发光(EL)发射主峰位于597nm,最高亮度接近200cd/m2,这种发射来自于TPD和Sc(DBM)3bath界面处两个功能层的相互作用产生的激基复合物。同时该LED在紫外光照射下还表现出明显的光伏特性。 相似文献
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短寿命铱(Ⅲ)配合物在有机电致发光(OLED)中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
设计并合成了两种有机电致发光材料,Ir(ppi)2acac和Ir(MeO-ppi)2acac,其中ppi和MeO-ppi分别为2-苯基苯并咪唑和2-(4′-甲氧基苯基)苯并咪唑,acac=乙酰丙酮,Ir(ppi)2acac和Ir(MeO-ppi)2ac,Ir(Ⅲ)配合物在二氯甲烷溶液中的磷光寿命(τ)分别为52.0和43.6ns,在CBP 薄膜中的τ分别为3.7和3.3ns,如此短的三重态寿命目前尚未看到报道.研究发现高效的Ir(ppi)2acac的绿电光致发光(EL)性能与短三重态寿命密切相关,7%(质量分数)Ir(ppi)2acac掺杂的器件给出55060cd/m2的最高亮度(L),对应13.4% 最大外量子效率(η),比Ir(ppy)3掺杂的参考器件提高了67.5%. 相似文献
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在分类中,特征选择一直是一个重要而又困难的问题。最近研究表明森林优化特征选择算法(FSFOA)具有更好的分类性能及较好的维度缩减能力。然而,初始化阶段的随机性、更新机制上的局限性及局部播种阶段新树的劣质性严重限制了该算法的分类性能和维度缩减能力。本文采用一种新的初始化策略和更新机制并在局部播种阶段加入贪婪策略,形成一个新的特征选择算法IFSFOA,在最大化分类性能的同时最小化特征个数。实验阶段,IFSFOA使用SVM,J48和KNN分类器指导学习过程,通过机器学习数据库UCI上的小维,中维,高维数据集进行测试。实验结果表明,与FSFOA相比,IFSFOA在分类性能和维度缩减上均有明显提高。将IFSFOA算法与近几年提出的比较高效的特征选择方法进行对比,不论是在准确率,还是在维度缩减上,IFSFOA仍具有很强的竞争力。 相似文献
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以圆管模拟弹试验为基础,从贝氏体钢Y82的破片率比传统弹体钢D60和高破片率弹体钢58SiMn,60Si2Mn有大幅度提高这一事实出发,讨论屯Y82钢的破片形成机理。 相似文献
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研究了稀土(RE)配合物(RE=Sc、Gd或Lu)(RE-配合物中的RE离子为三价离子)的有机二极管,在电驱动和紫外光照射下分别表现出电致发光(EL)和光伙(PV)特性.作为EL二极管时,m-MTDATA(4,4',4"-tris[3-methyl-plaeny(pltenyl)-amino]triphenyl-amine)和稀土配合物分别用作空穴和电子传榆材料,EL发射仅仅来自m-MTDATA和稀土配合物层间界面激基复合物,当配合物的中心金属分别为Sc、Gd或Lu时,EL发射峰分别为656、607~590nm.作为PV二极管时,m-MTDATA和稀土配合物分别作为电子给体(D)和受体(A),它们的开路电压(Voc)分别为1.17、1.65和1.92V.还讨论了EL和PV特性与配合物中中心稀土离子的核电荷数关系. 相似文献
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A series of organic photovoltaic (PV) cells in which the electron acceptor and donor are gadolinium (dibenzoyl-methanato)3(bathophenanthroline)[Gd(DBM)3bath ] and N, N′-diphenyl-N, N′bis(3-methylphenyl)-1,1′-diphenyl-4,4′-diamine[TPD], respectively, were fabricated. Although TPD acts as an active layer in the bilayered cells, insertion of a Gd-complex film between TPD and the alloy cathode is necessary for efficient carrier photogeneration. Open-circuit voltageof 3.2V was obtained due to efficient exciton dissociation near the interface between Gd(DBM)3bath and TPD. By incorporating an ultrathin mixed layer of Cd-complex and TPD, external quantum efficiency is improved significantly. Photovoltaic performance of the devices has a common origin, exciplex formation, which results in broadband emission during both photoluminescent and the electroluminescent processes. 相似文献