陈展鸿:“一加一”的传奇

10年前,1台缝纫机、一台铰骨机,再加4个小裁缝,就是“一加一”的全部;10年后的今天,“一加一”已是一家融服装、饮食、电子、贸易以及百货等22家企业为一体的集团公司,属下员工1600多人。陈展鸿,当年的小裁缝之一,如今的“一加一实业有限公司”的董事长兼总经理,也正是在这短短的10年时间     

硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究

对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现：单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果,从7射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应,但它较电离效应具有一定滞后性。     

混合集成光电耦合器噪声特性研究

光电耦合器件作为光电混合器件比一般分立器件结构复杂，其内部噪声的种类较多，在低频时主要表现为1/f噪声，高频时主要表现为散粒噪声。本文在介绍光电耦合器件工作原理的基础上，从理论上分析了1/f噪声产生机理。设计了噪声测量方法，并通过对其测量结果分析，深入研究了噪声和光电耦合器质量与可靠性的关系。     

金属/半导体接触孔噪声特性研究

通过对1μm金属/半导体接触孔链样品施加高应力的加速寿命试验和室温下的噪声频谱测量,得到了1/f噪声、10Hz点频功率谱特征及其变化规律.实验中发现应力前后1/f噪声10Hz点频功率谱有明显的变化.对比实验中电阻和噪声的变化,噪声变化量是电阻变化量的1304倍.1/f噪声可以作为金属/半导体接触孔可靠性的灵敏表征参量.     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下，测量了光电耦合器件的g-r（产生-复合）噪声．实验结果表明，随着偏置电流的增加，g-r噪声逐渐向高频移动，其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律．通过测量前级噪声和后级噪声，发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管．基于载流子数涨落机制，建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型．实验结果和本文模型符合良好．     

利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法

强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.     

基于ATmega128单片机的点阵广告屏设计

为了实现AVR单片机对LED点阵显示系统的控制,采用ATmega128作为下位机MCU,通过接收上位机发送的显示内容和显示模式的串行信号,实现16×32高亮点阵屏的一行多个文字或符号的显示。系统实际运行稳定,显示效果良好,便于多块点阵屏的扩展,作为高职学生的大学生实践创新有较高的实践意义。     

光电耦合器电流传输比的噪声表征

光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.     

污水集中排放监控终端的设计和实现

设计了一套针对污水处理厂的排污企业污水排放监控系统。主要监测其排放污水的实时流量、流速等现场数据。采用485通信、无线DTU传输、因特网接入等多种通信方式,解决了远程现场环境下的数据传输问题,实现了污水排放现场数据实时上传和排污现场控制功能。     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.