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本工作用XRD,EPMA,SEM等测试技术计算和示出了用不同活性粉料制备的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷晶格中B位离子有序度和元素的面分布情况,对它们在X面下的电行为作了探讨。实验结果表明,BMT陶瓷的微波损耗主要与其密度有序度和微观结构的均一度有关。 相似文献
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采用固相合成法制备了Ba1–3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响。结果表明:A位取代能改进其烧结性能。在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1:2有序;当x〉0.02时出现第二相Ba0.5TaO3。B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值。x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大。品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数(τf)值随着x增大而增大。 相似文献
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采用固相合成法制备了Ba1-3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响.结果表明:A位取代能改进其烧结性能.在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1:2有序;当x>0.02时出现第二相Ba0.5TaO3.B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值.x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大.品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数(τf)值随着x增大而增大. 相似文献
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采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38 mm×34 mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79 nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。 相似文献
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研究了 B位 Zr掺杂对 (Pb0.45Ca0.55)(Fe1/2Nb1/2)O_3 (PCFN)陶瓷的烧结行为、 微观结构及微波介电性能的影响。试验结果表明 ,PCFNZ陶瓷能在相对较低的温度下烧结 (12000C/2h),在 x=0.025时 ,有较高的 Q· f值 ,它的微波介电性能 :Q· f=9828GHz,ε r=91,τ f=9ppm/0C,用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为 928.4MHz下 ,插入损耗为 2.469dB,满足插入损耗应小于 3dB的要求。 相似文献
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