ZnO基导电陶瓷的溶胶掺杂制备

用Ｃｏ、Ｎｂ、Ｙ元素对ＺｎＯ材料进行掺杂制备出ＺｎＯ基导电陶瓷样品。研究了掺杂含量及掺杂方式对ＺｎＯ基导电陶瓷电阻率的影响。用溶胶一凝胶法制得Ｙ（ＮＯ３）３含Ｔｉ掺杂剂溶胶且与Ｙ２Ｏ３固相氧化物掺杂进行了比较。结果表明,Ｙ（ＮＯ３）３含Ｔｉ溶胶掺杂可制备出室温电阻率很低的ＺｎＯ基导电陶瓷,其室温电阻率可达３．３８ｘ１０－２Ω·ｍ,溶胶引入量为０．０５％ｍｏｌ。     

铁电薄膜材料I-V特性的测量

介绍了测量铁电材料Ｉ－Ｖ特性的原理和电路,并对ＰＹＺＴ铁电薄膜试样进行了电滞回线和Ｉ－Ｖ特性的测量,指出铁电材料具有其特有的Ｉ－Ｖ特性曲线。因此,有无铁电体Ｉ－Ｖ特性曲线不仅可以判断该材料是否为铁电体,还可判断铁电材料性能的好坏,如极化强度和矫元场大小,对称性等。