甘油浓度对高压腐蚀箔的性能影响

甘油作为缓蚀剂对铝电解电容器阳极腐蚀铝箔孔洞的生长有显著的抑制效果,随甘油浓度增加,孔洞长度和数目减少,孔洞均匀性明显改善,腐蚀箔的比电容先增大后减少。当甘油浓度为0.5 g/L时腐蚀箔的比电容达到最大值0.776μF/cm2。     

超级电容器集流体用铝箔交流腐蚀研究

对48微米铝箔集流体在50 Hz交流电腐蚀下进行正交试验的研究,包括因子盐酸、铝离子、硫酸及温度等条件,发现了取得比容的最佳条件是各个因素的相互作用.讨论了在低电量时,高浓度的盐酸更趋向于形成发孔密度大、孔洞大小均一的腐蚀孔,而失重效率反而低于2N盐酸,可能是因为高浓度盐酸在交流电解负半周的沉积膜保护作用而导致.SEM分析显示备我们所制备的样品表面形貌抛光图与日本进口集流体形貌极为相似.     

扩孔时间变化对铝电解电容器用铝箔孔洞生长的影响

铝电解电容器高压用阳极箔一次腐蚀发孔后,经200 V以上电压化成后容易填没孔洞,需要通过二次腐蚀来增大孔径。在保持扩孔腐蚀电流密度不变的条件下,随着扩孔时间的延长,腐蚀箔孔洞深度加长,芯层减薄,孔洞密度减少,孔径增加。从腐蚀以及化成静电折弯分析,并非芯厚较薄的强度就一定差,化成后强度与扩孔后的孔径大小和规则性有一定的关联。     

化成箔废水除磷的研究

化成箔生产的过程中，使用了磷酸进行表面处理，使外排废水中的磷浓度超标，需要有简便可行的除去方法。研究了两种不同沉淀剂及混凝剂的除磷效果，考察了氢氧化钙的加入量、搅拌时间、pH及温度对处理效果的影响，形成了化成箔废水中去除磷的工艺流程。结果表明：在一定的条件下，采用石灰去除磷的效果良好，去除率可达98％以上，具有实际应用价值。     

铝箔腐蚀阳极氧化前处理SEM分析

为了对多孔阳极氧化铝孔洞尺寸的可控制备,分别对磷酸和草酸作为电解液进行阳极氧化研究。发现磷酸只需经一步氧化可以制备出高度有序的多孔氧化铝膜,孔洞在电压160 V时可达到300 nm,130 V时的孔洞约150 nm。经铬酸钾和磷酸混合液处理氧化膜后,可观察到阻挡层上分布的六角形结构。而草酸经两步阳极氧化后形成的孔洞很小,只有数十纳米,经扩孔后孔洞可达100 nm。     

200微米DC腐蚀铝箔极限长度的研究

为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,不能贯穿整个夹芯层,这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小,低于70℃下甚至不生长隧道孔,所形成的夹芯层非常厚。而经过0.8 mol/L游离酸的二级腐蚀,隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。     

铝箔腐蚀盐酸扩孔二次发孔的研究

在不同扩孔电流密度下制备腐蚀箔,通过失重量、比容以及扫描电镜方法对样品进行了表征,重点探讨了扩孔电流密度对所制备的腐蚀箔比容、孔洞数量的影响。结果表明:当扩孔电流密度≤0.1 A/cm2时,二级扩孔没有出现二次发孔的情况。随着电流密度的降低,比容逐渐增加。     

免模板法制备锐钛型TiO2空心球

以草酸钛钾为钛源,利用一步免模板法在水热条件下制备出二氧化钛空心球,其形成机理建立在由里及外的“Ostwald ripening”理论上.在不同的反应时间下研究了二氧化钛从亚稳相逐渐向稳定相的锐钛型二氧化钛空心球转变的过程.结合SEM的观察发现二氧化钛由光滑的固态粒子逐渐转变为表面为纳米棒状的二氧化钛空心球,TEM证实了所制备的空心球的直径约为1微米,单晶衍射图案（SAED）表明棒状晶体沿[001]面生长.     

铝箔交流腐蚀过程中添加剂的筛选研究

采用密度泛函理论计算了15种阴离子与Al3+的结合能Eb1及5种铝盐与OH-间结合能Eb2,并通过腐蚀皮膜和比容测试验证.结果表明,SO42-和C2 O42-具有很负的Eb2和Eb1,容易与Al3+结合以及利于形成腐蚀皮膜,导致在低浓度添加时比容有很大提升(94％).PO43-类添加剂具有较正的Eb1和很负的Eb2,使...     

硫酸对铝箔交流腐蚀影响机理的研究

采用静电容量测试、腐蚀皮膜厚度测试、密度泛函理论计算和计时电位法分析了盐酸/硝酸(HCl/HNO3)电解液中硫酸(H2SO4)对铝箔交流腐蚀行为的影响.结果表明,H2SO4对低压箔比容的影响取决于化成电压,低电压时比容随H2SO4浓度增加而降低,高电压时则存在最适H2SO4浓度(约0.004 mol·L-1).由于SO...