首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
综合类   2篇
化学工业   7篇
矿业工程   3篇
一般工业技术   2篇
  2019年   2篇
  2004年   1篇
  1998年   1篇
  1996年   3篇
  1995年   3篇
  1994年   2篇
  1993年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
分析高温烟气管的传热过程。建立其传热的数学模型,导出管内温度分布的计算式,进而提出烟气管的设计方法。  相似文献   
2.
矿渣铁系颜料的研制及其酚醛防锈漆   总被引:2,自引:0,他引:2  
吴兴才  胡多朝 《安徽化工》1995,(1):27-28,31
矿渣铁系颜料的研制及其酚醛防锈漆吴兴才,张秀云,胡多朝,冯士安(淮南矿业学院化工系,232001)(淮南矿业学院X射线室,232001)在硫酸生产中每年要排出大量的硫铁矿烧渣和烟尘。一个中型硫酸厂年排渣量达300~500万吨,其中经旋风除尘下来的烟尘...  相似文献   
3.
由稻壳提取高纯SiO2水热条件的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
通过不同水热条件的研究提出由稻壳提取高纯SiO2的合理途径,并且对它的粉体特征进行表征,并指出其可能应用途径。  相似文献   
4.
用Ta2O5 纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带, 典型的纳米带长约0.5 cm, 横截面积40 nm×200 nm~ 400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管; 该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10 -4cm 2/(V·s)和3.4, 在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm 2)的光照下, 外加5.0 V的偏压时, 光响应为249 mA/W, 光开关比为11。因此, 该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外, 实验还控制合成出Ta2O5@TaON纳米带, 并加工成单根纳米带的场效应晶体管, 虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON 纳米带, 但仍算是一种好的光电材料。  相似文献   
5.
6.
通过不同水热条件的研究提出由稻壳提取高纯SiO2的合理途径,并且对它的粉体特征进行表征,并指出其可能应用途径。  相似文献   
7.
矿渣铁系颜料及其酚醛防锈漆   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了硫酸生产中排出的硫铁矿烟尘制备铁红、铁棕和钙铁粉等防锈颜料的生产工艺,工艺简单易行。列举了该颜料及其酚醛防锈漆的性能指标,达到了规定的技术指标。  相似文献   
8.
铜泥经过焙烧脱硫变成氧化亚铜和氧化铜,然后用氨水、醋酸联合溶解,获得能用于铜洗的醋酸铜氨液。  相似文献   
9.
用Ta_2O_5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm~400 nm×5600 nm。在SiO_2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管;该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10~(–4)cm~2/(V·s)和3.4,在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm~2)的光照下,外加5.0 V的偏压时,光响应为249 mA/W,光开关比为11。因此,该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外,实验还控制合成出Ta_2O_5@TaON纳米带,并加工成单根纳米带的场效应晶体管,虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON纳米带,但仍算是一种好的光电材料。  相似文献   
10.
吴兴才  王维 《化工机械》1994,21(4):232-233
本文介绍一种简单间歇室式煤气工业炉窑的结构特点及其参数的确定,其炉膛温度为600-800℃。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号