过共晶Al－Si合金共生区激光表面处理

用２ｋＷ连续ＣＯ２激光对过共晶Ａｌ－１８Ｓｉ合金以不同能量密度和扫描速度进行快速熔凝处理。用扫描电镜、电子微区分析仪分析了微观结构。从计算机对Ａｌ－Ｓｉ合金ｆ－ｎｆ系统的非平衡理论计算所得的共生区及实验结果的分析可见，当能量密度和扫描速度决定的凝固条件处于共生区中部时，过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金激光表面处理可以得到共晶间距低于２００ｎｍ的完全共晶结构。     

激光诱导激波在氮气中的传播

实验观察了强激光脉冲击穿氮气诱发激波及其传播过程，用爆炸波模型讨论了激波的产生和传播，给出了激波传播的基本规律，对实验结果作出了满意的解释。     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

几种难熔过渡金属的激光氮化

多脉冲激光辐射使置于氮气氛中的难熔过渡金属钛、钼和表面氮化，形成和组织致密的氮化层，用多种方法分析和表征了氮化层的化学成分和组织结构，激光的作用使得金属表面熔化和氮气激活，导致液相氮化反应，激光引起的加热熔化和激波效应同时使表层组织致密。     

ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化

利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。     

ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .     

Mo的表面脉冲激光氮化

激光脉冲辐照置于氮气中的Ｍｏ使表面形成含γ－Ｍｏ２Ｎ的氮化层，激光使Ｍｏ表面熔化导致液相氮化反应，用ＳＥＭ、ＸＲＤ和ＡＵＧＥＲ谱分析表征了氮化层，激光在表层相起的加热和激波效应还有使表层微观组织致密的作用。     

钛的ns脉冲激光氮化

报道用５ｎｓ脉冲激光通过激光气体合金化形成氮化钛的研究。通过探测发射光谱观察了氨化过程，用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了氨化层的表面形貌，激光烧蚀飞行时间质谱和Ｘ射线衍射标征了氮化层。激光脉冲起着熔化钛表面和激活氮的作用，导致钛的液相氮化。同时，也发现生成的氨化层是富Ｔｉ的，由δ－ＴｉＮ和α—Ｔｉ组成。     

ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

利用电子回旋共振(ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索,在低于80℃的温度下得到了均匀的厚度约为7 nm氮化硅和二氧化硅薄层.结合等离子体光学诊断和成分探测,分析讨论了ECR等离子处理机理.结果表明,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层.     

钛表面激光氯化和飞行时间质谱分析

用１０ｎｓ激光脉冲辐照Ｎ２气氛中的钛使表面氮化，对形成的氮化层进行激光烧蚀并用飞行时间质谱进行分析，结合发射光谱和表面形貌观察讨论了氮化机理。