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1.
讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。  相似文献   
2.
本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。  相似文献   
3.
本文讨论选用不同薄层修正方法对扩展电阻测试数据进行修正 ,而获取正确的扩展电阻测量结果。  相似文献   
4.
吴晓虹 《有色矿冶》2001,17(2):27-30
提出的优化机制加工工艺路线图解法,使工艺路线最大限度地减少基准变换,减少尺寸链中的组成环,不仅可以减少加工成本,而且还可以提高加工精度。  相似文献   
5.
25t汽车吊卷扬机的一级行星架如图1所示,其三个均布的φ30k6台阶轴的尺寸精度、表面粗糙度及位置精度要求较高,难于加工,现设计制造了一套行星架车床夹具,结构简单,经使用证明效果较好。  相似文献   
6.
油水皆溶润滑极压剂的研究官文超,夏华,尹琨莲,吴晓虹(华中理工大学化学系,武汉430073)(武汉油脂化学厂,武汉430050)性能优良的润滑剂可以使机械得到充分的润滑,减少摩擦和磨损,防止烧结,从而提高机械效率,减少能源消耗,延长机械寿命。据估计,...  相似文献   
7.
As重掺杂Si片的电阻率可低到10-3 Ω·cm,可用作外延片的衬底材料,对于正向压降低的半导体器件来说,用这类外延片制作器件是最恰当的选择.As重掺杂Sj片在外延时容易产生气相自掺杂,尤其是同型外延时还存在固态外扩散现象,在整个制作器件过程中易产生工艺参数偏差,导致器件性能下降,严重时器件失效,当然衬底材料也可以选用价格较高的背处理工艺Si片,能有效地抑制由于后续加工工艺产生的许多缺陷.对某生产厂生产的一批器件电参数性能下降的原因进行了剖析,分析阐明了以As重掺杂Si片为衬底的外延片中衬底杂质对器件质量的影响.  相似文献   
8.
本文介绍了使用扩展电阻探针,通过测试材料的电阻率分布和工艺芯片的杂质浓度分布,从而用以材料和器件工艺参数的测试分析。  相似文献   
9.
本文介绍了使用扩展电阻探针,通过测试硅外延片、器件芯片和集成电路特定区域的纵向杂质分布,从而用以器件开发、工艺调控和失效分析。  相似文献   
10.
《能源计量监督管理办法》的实行,对促进能源计量工作的开展,提升能源计量工作的地位,开辟能源计量工作的新领域、迈进新阶段打下了坚实的基础,为社会公正计量行(站)对大宗贸易交接、能源消耗状况实行第三方公正计量指明了方向;  相似文献   
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