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以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响.结果表明,薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系.随着硅烷浓度的降低,即氢稀释率的提高,晶化率提高,而沉积速率随着射频功率的增大而增大.当硅烷体积浓度为1%、射频功率为70 W时,获得晶化率接近70%的优质纳米晶硅薄膜. 相似文献
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针对Brzostowski方法因采集的速度数据精度不高、采用的建模算法搜索能力受限,而导致难以获取高精度健身跑模型的问题,本文提出一种基于智能手机的健身跑速度数据获取及演化建模方法。首先,提出基于智能手机多传感器和中值滤波的健身跑速度采集方法,以滤除由于手机间歇性的姿态变化而产生的三轴加速度信号脉冲噪声,并结合方向传感器对手机三轴加速度中包含的重力分量进行过滤;然后,设计一种健身跑演化建模算法,以增大搜索空间为获取更优的健身跑模型提供支持。实验结果表明,本文提出的方法可以比Brzostowski方法获取更为精确的速度和健身跑运动模型。 相似文献
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衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加. 相似文献
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