16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

微机械可调谐滤波器的研制

利用 Ga As/Al Ga As分布反馈 Bragg反射镜在 Ga As衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器 .该器件在 7V调谐电压下调谐范围达28nm     

特种设备安装单位质量管理及证后监管方法研究

特种设备安装质量是保证特种设备安全运行的有力保证,而特种设备安装单位的质量保证体系的完整性和运转是否正常,是保证特种设备安装质量的前提,文章通过对现阶段特种设备安装单位质量管理现状及证后监管方式的探讨,提出相应的对策和建议供管理部门参考。     

聚合物热光相移器件的研究及其应用

利用聚合物材料研制出热光Mach-Zehnder(MZ)型干涉调制器,单位相移为1.53π/(cm·℃),产生π相移所需功率为12mW.热光开关的响应时间为1.2ms,消光比为16dB,接近实用水平.并且讨论了热光相移在多种光电子器件中的应用.     

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.     

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.     

聚合物热光相移器件的研究及其应用

利用聚合物材料研制出热光Mach-Zehnder(MZ)型干涉调制器,单位相移为1.53π/(cm·℃),产生π相移所需功率为12mW.热光开关的响应时间为1.2ms,消光比为16dB,接近实用水平.并且讨论了热光相移在多种光电子器件中的应用.     

微机械可调谐滤波器的研制

利用GaAs/AlGaAs分布反馈Bragg反射镜在GaAs衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器.该器件在7V调谐电压下调谐范围达28nm.     

GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As超晶格中场致激子峰展宽机制的研究

我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散射增加而使激子峰展宽。这种与电场有关的散射机制会使L.Esaki和Tsu所预期的超晶格的负微分电阻效应减小。