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关于发展我国纳米科学技术的几点思考 总被引:3,自引:0,他引:3
纳米科学的概念是1959年提出来的,纳米科学技术研究是在扫描隧道显微镜和原子力显微镜技术得到应用以后才真正红火起来的。2000年2月美国前总统 Clinton 提出《国家纳米技术倡议书》以后,又引发了全世界科学技术界的更大关注,因为他们认为纳米技术将引发下一次的产业革命。我国正在实施跨越式发展,面对这一机遇当然不能放过,不能坐失良机。建国以来,我国曾多次企图以群众运动形式求得发展,都导致失败,损失严重。如政治方面的反右、大跃进、文化大革命;农业上的大办人民公社、“八字宪法”高产运动;工业和科技方面的大办钢铁、超声波运动、全民办半导体等;在发展材料方面,也多次出现一哄而起的现象,如60年代的激光晶体,80年代的高温超导材料等。这一方面说明我国基础研究有一 相似文献
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一、引言分子束外延(MBE)是新近发展起来的制备化合物半导体薄膜的方法。生长过程包含一个或多个热分子束或原子束与晶体表面在超高真空(10~(-9)~10~(-10)托)条件下的反应。依照粘附系数的差别,严格控制入射分子流或原子流。外延薄膜的结构随分子束的相对流量改变,保持严格的化学配比。晶体生长受分子束相互作用的动力学过程支配,而异于常规的化学汽相淀积(VPE)和液相外延(LPE)中的准热力学平衡。分子束外延是在基础研究中出现的外延生长新方法。分子束外延能够精确地控制外延层的厚度和均匀性。例如,用计算机控制的分子束外延设备已生长出低于10(?)厚度的GaAs和 相似文献
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