降温速率对Ba0.92Ca0.08TiO3 PTCR陶瓷室温电阻率"反常"现象的影响

通过系统研究烧结工艺对BaO92Ca0.08TiO3电阻正温度系数(possitive temperature coefficient resistance，PTCR)陶瓷的影响，在晶粒生长过程中分析液相在晶界中的分布。着重研究降温速率对PTCR室温电阻率的影响。发现在1300～1150℃温区内，当降温速率大于15℃／min时，出现随降温速率增加，室温电阻率增大的“反常”现象。根据液相在晶界区分布随降温速率的变化规律，对这种“反常”进行解释。     

Nd3+取代对(PbCa)(FeNb)O3介质陶瓷微波特性及晶体结构的影响研究

研究了A位Nd^3 非电荷平衡取代量对[(Pb0．48Ca0.52)1-xNdx](Fe0．5Nb0．5)O3晶体结构及微波介电性能的影响．用XRD研究了Nd^3 的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响．介电性能研究表明，体系介电常数随Nd^3 先增加后减小，并且当Nd^3 的含量超过一定值时，体系的品质因数得到改善．用键价理论分析了体系谐振频率温度系数随Nd^3 取代量的变化关系．当Nd^3 的含量为5mol％时体系微波介电性能达到最佳为；εr=87．9，Qf=5210GHz，Tf=7．8ppm／K．研究了[(Pb0．48Ca0．52)1-xNdx](Fe0．5Nb0.5)O3体系中晶体结构与介电性能之间的关系．     

铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

研究了添加0.25CuO-0.75MoO₃(摩尔比, 简记为CM)对ZnO-TiO₂ (简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响. CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得, 烧结温度限定在900~1050℃范围内. 样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量. EDS及XRD分析显示, Cu²⁺ 和Mo⁶⁺ 均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格, 并导致ZnTiO₃分解温度的降低, 同时, 也降低了在Zn₂TiO₄和金红石之间形成固溶体(Zn₂Ti₃O₈)的起始温度. 实验结果表明, CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结. 添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%, 其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz, 介电常数ε_r =28.6,谐振频率温度系数τ_f=+17.8×10^-6/℃.     

成型工艺对片式PTCR素坯及瓷片性能的影响

将注凝成型、注浆成型与轧膜成型应用于片式PTCR的制备,研究了不同成型工艺对片式 PTCR素坯及瓷片性能的影响。研究发现,用注凝成型和注浆成型工艺制备的素坯比用轧膜成型更加均匀, 其陶瓷颗粒与粘结剂分布规则。在3种成型工艺所得的瓷片中,注凝成型瓷片晶粒生长最均匀,注浆成型瓷片晶粒生长较均匀,而轧膜成型瓷片晶粒生长不均匀。注凝成型和注浆成型工艺所制备瓷片的 PTC性能稍优于轧膜成型。瓷片的耐电压性能与成型工艺有较大的依赖关系。     

MgO－CoO－NiO氧敏材料的缺陷化学及电导特性研究

本文用点缺陷理论分析了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ系氧敏材料的缺陷模型．并测量了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ材料的高温电导与氧分压的关系．在实验的基础上，研究了该材料的缺陷化学及电导特性，对其禁带宽度及缺陷的热力学参数进行了理论估算．实验结果与理论分析吻合得较好．     

锌硼玻璃基低温共烧陶瓷的微波介电性能研究

采用3ZnO-2B2O3玻璃与Al2O3和TiO2复合烧结制备了锌硼玻璃基低温共烧陶瓷复合材料,研究了TiO2/Al2O3质量比对所制复合材料相组成和微波介电性能的影响.结果表明:随着TiO2/Al2O3质量比减少,复合材料中ZnAl2O4相含量增多,TiO2相含量减少,4ZnO·3B2O3相的含量基本不变.随着TiO...     

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体

用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。     

(Ca1-xBax)[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15)]O3+δ陶瓷微波介电特性

研究了A位Ba2+取代对(Ca1-xBax)[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ (0≤x≤0.2,CBLNZ)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响.当0≤x≤0.025时,体系为单一钙钛矿相,随Ba2+含量的增加,谐振频率温度系数(τf)由-9.4×10-6/℃增加到18×10-6/℃,而品质因数(Q)先增大;当x=0.025时,开始下降.用键价理论分析了谐振频率温度系数随B位键价的变化关系.当x(Ba2+)=2.5%时,陶瓷微波介电性能最佳,即介电常数εr=34.3,品质因数与频率的乘积Q·f =13 400 GHz,τf =-2.1×10-6/℃.     

水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究

采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR。研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1240℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于104,温度系数大于13%℃–1,平均晶粒尺寸小于2μm。     

水基流延法制备片式PTC陶瓷

以PVA和PAA乳液为粘合剂,用水基流延法制备了BaTiO3基片式PTC陶瓷基片。研究了粘合剂、固相含量等对浆料黏度及流变行为的影响,同时对流延基片的干燥工艺、烧成曲线等也进行了研究。结果表明,将流延干燥后的基片,在1 320℃空气中烧结30 min,所得PTC样品的升阻比大于6个数量级,温度系数大于16%/℃,能够满足叠层PTC器件的制备要求。