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对等离子化学气相淀积的氮化硅薄膜电特性进行了研究。在高电场范围,电传导主要是由Pool-Frenkel发射机构引起的。SiN薄膜的介电强度为5.2×10~6 V/cm。利用MNS电容器的平带电压,计算得界面态密度为3.1×10~(12)/cm~2·eV。 相似文献
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<正> 一、引言 以TiSi_2为代表的难熔金属硅化物,由于具有铝及掺杂多晶硅所不具备的特点,已成为VLSI中制作栅电极和互连线的重要材料。CVD法制备硅化钛膜的突出优点是台阶覆盖性好,有利于批量生产。然而,用卧式PECVD制备硅化钛膜的方法至今尚未见报道。 PECVD法淀积的硅化钛膜,必须经退火结构才能稳定。目前,常用瞬态退火和常规热退火(高温退火)两种方法。常规热退火能和常规工艺兼容,而瞬态退火则可减少原子的互扩散。 笔者用平板型PECVD设备,在典型工艺条件下淀积了薄膜,分析了高温退火对薄膜电阻率、组分、结构的影响。 相似文献
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利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的氢浓度对MOS结构界面态影响较小,这主要是在淀积过程中,进入SiO_2层中的氢元素较少的缘故。钝化改善了CMOS器件的性能。 相似文献
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电子波导器件是今后量子线十分重要的应用领域之一。本文从薛定谔方程出发,得出了有关量子线中传输电子特性的一组约束方程,也即描述量子线电子波导特性的方程组,用数值法求解该隐含方程组,可以得到电子能量E、传播常数β的关系曲线和量子线结构参数dx、dy之间的关系。 相似文献
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SiH_4-N_2系等离子增强化学气相淀积方法生长SiN(PECVD法),我们用这种方法对器件进行了钝化,并对钝化前后的器件性能进行了研究,结果表明:SiN对半导体器件具有良好的钝化效果。 相似文献
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Si3N4/SiO2辅助介质剥离膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了利用Si3N4/SiO2双层介持膜作为GaAsMESFET(Metal Semicon-ductor Field Effect Transistor)剥离工艺中的辅助剥离膜,研究结果表明,采用Si3N4/SiO2双层介质剥离膜,易于形成倒剪口剖面,金属剥离效果良好,是一种非常有效的辅助剥离膜。 相似文献