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采用光配向技术使PI获得配向能力并制得IPS型LCD,通过AOI光学自动检测设备以及DMS光学测量系统对在不同PI固烤时间和UV曝光能量下获得样品的预倾角、对比度及穿透率进行了量测,并研究了各条件下样品的残影(Image Sticking)性能。结果显示:在900~2 700s,400~600mJ/cm~2范围内,固烤时间和曝光能量对LCD光学性能影响较小,但对残影性能影响较大,IS随曝光量增大有恶化的趋势,且该趋势在高亚胺化程度下趋于平缓;调整固烤时间及曝光能量可以获得较佳的残影性能,固烤时间1 800s,曝光能量400~500mJ/cm~2条件的LCD残影性能较佳。 相似文献
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采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析。结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向。 相似文献
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近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径.本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析.结果表明,CH4浓度由2.5%提高至5%,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h. 相似文献
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