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由电弧引起的材料转移、熔焊是铜基覆银触头电侵蚀的主要表现,造成触头无法正常工作,使继电器失效,进而影响整个电路的运行.作者模拟了继电器触头的实际工作情况,分析了铜基覆银触头在电弧侵蚀中材料转移与熔焊机理. 相似文献
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氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响.测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3 min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大.Ar+轰击时间由1 min增加到3 min时,平均晶粒尺寸由16.6 nm增加到22.9 nm,电阻率从16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.溅射功率从3250 W增加到7500 W时,(111)晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm. 相似文献
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采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜,研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响.结果表明:经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异,其中420℃退火后的薄膜结晶形态良好,主要成分是VO2,在65℃左右表现出明显的电阻突变,常温下在波长1 700 nm附近薄膜的光透过率达59.9%;在VO2薄膜中掺入W6 ,相变温度有所降低,但掺杂使薄膜光透过率降低. 相似文献
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