FTIR结合主成分分析对杜鹃花植物鉴别分类研究

采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)结合主成分分析对杜鹃花科植物不同属及亚属鉴别分类.测试了杜鹃花科植物1个属3个亚属4类植物28个叶子样品的红外光谱.结果显示4类杜鹃花植物红外光谱表现出微小差异.结合主成分分析统计方法对28个叶子样品的光谱进行统计分析,发现基于傅里叶变换红外光谱的主成分分析排序图能够正确对样品分类.研究揭示FTIR光谱结合主成分分析方法可以用来鉴别分类植物.     

5种农作物锈病孢子的扫描电镜观察

应用扫描电子显微镜观察小麦叶、蒜叶、蚕豆叶、玉米叶和葱叶上的锈病孢子形态特征,观察指标包括孢子的形状、孢子的表面特征以及孢壁纹饰等。结果表明孢子形状各异但以不规则椭圆状为多,孢子表面均具有刺和芽孔,孢壁呈光滑状、浅波状、皱波状和颗粒状纹饰。不同的孢子在形态上呈现一定的差异,通过形态的差异可以区分不同的孢子,为锈病病原体鉴别提供一定的依据。     

Ge/Si多层膜热稳定性的Raman光谱研究

用Raman光散射的方法，观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的各Raman峰的变化，对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析。实验结果显示：Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后，能改善各层的晶体质量，得到较完整的多层膜的结构。     

Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究

利用超高真空磁控浅射系统生长了不同偏压下Ge／Si薄膜材料,所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境。通过X射线小角衍射分析表明,加一定偏压的Ge／Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好,并且加偏压可有效降低材料的生长温度。在加15－25V偏压明,获得了300℃的生长温度下,层状优良,粗糙度小的薄膜材料。     

电工测量教学方法改革

结合《电路及磁路》、《电工测量》的教学特点，以及多年的教学经验，对《电工测量》课程的教学方法进行了改革，并制作了多媒体教学课件，结果表明：节约了教学学时和实验设备，加深学生对实验的理解，提高教学效果。     

磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究

用Raman光谱射的方法，研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况，对不同的样品进行结构变化分析。实验结果显示：Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制，异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形态。