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氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法 总被引:1,自引:0,他引:1
氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法赵育明,周科衍(大连理工大学化学系,116012)1GaN的性质及其应用GaN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它具有以下特性:较宽的直接带隙(3.4eV),很高的电导率和热导率,很高的硬度(接近于蓝宝石)及... 相似文献
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用金属有机化合物化学汽相沉积的方法制备半导体材料,大大推动了电子工业的发展。该技术已在微波、光电和太阳能电池等器件制备中得到应用。从金属有机化学的角度,论述了采用加合物方法提纯MO源的原理、MO源纯度与半导体材料质量的关系,新MO源的开发及对MO源的展望。 相似文献
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